电容器制造技术

电容器(100)具备：基体材料(110)，具有相互对置的第一主面(110A)和第二主面(110B)，并在第一主面(110A)侧形成有沟槽部(111)；介电膜(130)，在基体材料(110的第一主面(110A)侧设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域；导电体膜(140)，具有第一导电体层(141)和第二导电体层(142)，其中，上述第一导电体层(141)设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域且是介电膜(130)上，上述第二导电体层(142)设置在第一导电体层(141)上；以及应力缓和部(160)，与第一导电体层(141)的端部的至少一部分接触来设置，在基体材料(110)的第一主面(110A)中的沟槽部(111)的外侧，应力缓和部(160)的厚度(T6)比导电体膜(140)的厚度(T4)小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器
本专利技术涉及电容器。
技术介绍
随着所安装的电子设备的高功能化，电容器需要进行电容密度的提高、耐电压的改善等性能提高。为了提高电容器电容密度，公开有形成有由沟槽部构成的电容器结构的电容器。为了在高动作电压下稳定地动作，公开有将电容器的介电膜厚膜化的结构。但是，若介电膜进行厚膜化，则有介电膜会因随着膜厚而增大的介电膜的内部应力而损伤，且电容器的可靠性受损的可能。特别是在具有沟槽部的电容器的情况下，由于因设置了沟槽部而产生的基板的刚性的降低、朝向沟槽部的角部的应力集中等，容易产生介电膜的损伤。为了抑制由内部应力产生的介电膜的损伤，在专利文献1中，公开了通过在第一主表面区域以及第二主表面区域这两面具有电容器结构的结构、在第一主表面区域具有电容器结构并在第二主表面区域具有补偿结构的结构，来减少基板的变形的电容器。专利文献1:日本专利第5981519号公报然而，上部电极的内部应力集中于上部电极的端部。若集中于该端部的内部应力被传递至介电膜，则存在介电膜损伤的可能。但是，在专利文献1所记载的电容器中，可抑制基板的变形，但施加于第一主表面的内部应力本身并未减少，特别是集中于上部电极的端部的内部应力未得到缓和，所以存在无法充分地抑制介电膜的损伤的可能。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的事情而完成的，其目的在于提供一种能够提高可靠性的电容器。本专利技术的一个方式的电容器还具备：基体材料，具有相互对置的第一主面和第二主面，并在第一主面侧形成有沟槽部；介电膜，在基体材料的第一主面侧设置于包含沟槽部的内侧的区域；导电体膜，具有第一导电体层和第二导电体层，其中，第一导电体层设置在包含沟槽部的内侧的区域且是介电膜上，第二导电体层设置在第一导电体层上；以及应力缓和部，与第一导电体层的端部的至少一部分接触，在基体材料的第一主面中的沟槽部的外侧，应力缓和层的厚度比导电体膜的厚度小。本专利技术的另一方式的电容器具备：基体材料，具有相互对置的第一主面和第二主面，并在第一主面侧形成有沟槽部；介电膜，在基体材料的第一主面侧设置于包含沟槽部的内侧的区域；导电体膜，具有第一导电体层和第二导电体层，其中，第一导电体层设置于包含沟槽部的内侧的区域且是介电膜上，第二导电体层，设置在第一导电体层上；以及应力缓和部，与第一导电体层的端部的至少一部分接触来设置，应力缓和部的残余应力的朝向与第二导电体层的残余应力的朝向相反。根据本专利技术，能提供一种能够提高可靠性的电容器。附图说明图1是示意性地表示第一实施方式的电容器的结构的剖视图。图2是以图1所示的电容器的应力缓和层为中心的放大剖视图。图3是表示第一实施方式的电容器的制造方法的流程图。图4是表示在第一导电体层上设置SiO2膜的工序的剖视图。图5是表示对SiO2膜进行图案化来设置应力缓和层的工序的剖视图。图6是表示在第一导电体层上设置Al膜的工序的剖视图。图7是表示对Al膜进行图案化来设置第一导电体层的工序的剖视图。图8是表示设置保护膜以覆盖第二导电体膜的端部以及应力缓和层的工序的剖视图。图9是示意性地表示第二实施方式的电容器的结构的剖视图。图10是示意性地表示第三实施方式的电容器的结构的剖视图。图11是示意性地表示第四实施方式的电容器的结构的剖视图。图12是示意性地表示第五实施方式的电容器的结构的剖视图。图13是示意性地表示第六实施方式的电容器的结构的剖视图。图14是示意性地表示第七实施方式的电容器的结构的剖视图。图15是示意性地表示第七实施方式的电容器的变形例的结构的剖视图。图16是示意性地表示第八实施方式的电容器的结构的剖视图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。其中，在第二实施方式以及第二实施方式以后的实施方式中，与第一实施方式相同或者类似的构成要素用与第一实施方式相同或者类似的附图标记来表示，并适当地省略详细的说明。另外，对于在第二实施方式以及第二实施方式以后的实施方式中获得的效果，对于与第一实施方式相同的效果适当地省略说明。各实施方式的附图是例示，且各部的尺寸、形状是示意性的，不应将本申请专利技术的技术范围限定于该实施方式来解释。＜第一实施方式＞首先，参照图1和图2，对本专利技术的第一实施方式的电容器100的结构进行说明。图1是示意性地表示第一实施方式的电容器的结构的剖视图。图2是以图1所示的电容器的应力缓和层为中心的放大剖视图。此外，图中所示的第一方向X、第二方向Y、以及第三方向Z分别是相互正交的方向，但只要是相互交叉的方向并不限定于此，也可以是相互以90°以外的角度交叉的方向。另外，第一方向X、第二方向Y、以及第三方向Z分别意味着相交叉的不同的方向，各方向并不限定于图1所示的箭头的正方向，也包含与箭头相反的负方向。电容器100具有第一区域101以及第二区域102。在从基体材料110的第一主面110A的法线方向俯视时，第一区域101是与第二导电体层142重叠的区域。另外，在从基体材料110的第一主面110A的法线方向俯视时，第二区域102是与比第二导电体层142延伸至外侧的第一导电体层141的端部重叠的区域。电容器100具备基体材料110、第一导电体膜120、介电膜130、第二导电体膜140、保护膜150、以及应力缓和层160。此外，应力缓和层160是应力缓和部的一个方式。第一导电体膜120相当于电容器100的下部电极，第二导电体膜140相当于电容器100的上部电极。基体材料110例如是由具有导电性的低电阻的硅基板构成的单层结构。基体材料110在第三方向Z的正方向侧具有第一主面110A，在第三方向Z的负方向侧具有第二主面110B。第一主面110A例如是将晶体取向表示为＜100＞的晶面。第一主面110A以及第二主面110B是与通过第一方向X以及第二方向Y确定的面平行的面(以下，称为“XY面”。)。基体材料110也可以是水晶等绝缘性基板。另外，基体材料110可以是多层结构，例如可以是由导电性基板和绝缘体膜构成的层叠体。在基体材料110的第一主面110A侧形成有多个沟槽部111。沟槽部111是在第一主面110A侧具有开口部的有底的凹部。沟槽部111形成于第一区域101。作为一个例子，沟槽部111是深度为10μm以上50μm以下、底的直径为5μm左右的圆柱状。通过在形成电容的区域设置沟槽部，能够增加电极的对置面积且提高电容器100的电容值而不会增加电容器100的尺寸。此外，沟槽部111的形状、大小并不限定于上述。沟槽部111的形状例如也可以为楕圆柱状、多棱柱状、槽状、或者它们的组合。另外，在图示的例子中，沿着第一方向X形成有5个沟槽部111，但沟槽部111的数量并不特别限定，在第一区域101至少形成一个即可。另外，沟槽部也可以设置在基体材料110的第一主面110A侧以及第二主面110B侧双方。沟槽部111的形成方法并不特别限定，但采用利用光刻法的干式蚀刻，能够本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容器，具备：/n基体材料，具有相互对置的第一主面和第二主面，并在上述第一主面侧形成有沟槽部；/n介电膜，在上述基体材料的上述第一主面侧被设置于包含上述沟槽部的内侧的区域；/n导电体膜，具有第一导电体层和第二导电体层，其中，上述第一导电体层设置于包含上述沟槽部的内侧的区域且在上述介电膜上，上述第二导电体层设置于上述第一导电体层上；以及/n应力缓和部，与上述第一导电体层的端部的至少一部分接触来设置，/n在上述基体材料的上述第一主面中的上述沟槽部的外侧，上述应力缓和部的厚度比上述导电体膜的厚度小。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170725 JP 2017-1438711.一种电容器，具备：
基体材料，具有相互对置的第一主面和第二主面，并在上述第一主面侧形成有沟槽部；
介电膜，在上述基体材料的上述第一主面侧被设置于包含上述沟槽部的内侧的区域；
导电体膜，具有第一导电体层和第二导电体层，其中，上述第一导电体层设置于包含上述沟槽部的内侧的区域且在上述介电膜上，上述第二导电体层设置于上述第一导电体层上；以及
应力缓和部，与上述第一导电体层的端部的至少一部分接触来设置，
在上述基体材料的上述第一主面中的上述沟槽部的外侧，上述应力缓和部的厚度比上述导电体膜的厚度小。


2.一种电容器，具备：
基体材料，具有相互对置的第一主面和第二主面，并在上述第一主面侧形成有沟槽部；
介电膜，在上述基体材料的上述第一主面侧被设置于包含上述沟槽部的内侧的区域；
导电体膜，具有第一导电体层和第二导电体层，其中，上述第一导电体层设置于包含上述沟槽部的内侧的区域且在上述介电膜上，上述第二导电体层设置于上述第一导电体层上；以及
应力缓和部，与上述第一导电体层的端部的至少一部分接触来设置，
上述应力缓和部的残余应力的朝向与上述第二导电体层的残余应力的朝向相反。


3.根据权利要求1或2所述的电容器，其中
上述应力缓和部设置于上述介电膜中的与上述第一导电体层对置的上表面。


4.根据权利要求3所述的电容器，其中，
在俯视上述基体材料的上述第一主面时，上述应力缓和部设置于上述第一导电体层的内侧的区域。


5.根据权利要求4所述的电容器，其中，
上述应力缓和部设置于包含上述沟槽部的内侧的区域。

【专利技术属性】
技术研发人员：中川博，芦峰智行，村濑康裕，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP