在集成电路中形成金属互连的方法技术

本揭示案描述了用于在集成电路(integrated circuit；IC)中形成金属互连的方法。此方法包括在布局区域中放置金属互连，确定金属互连的多余部分的位置，及在此位置将金属互连的长度减去多余部分的长度，以形成金属互连的一或更多个主动部分。多余部分的长度是IC的相邻栅结构之间的距离的函数。此方法亦包括在IC的层间介电(interlayer dielectric；ILD)层上形成一或更多个主动部分，以及在一或更多个主动部分上形成通孔，其中通孔位于与一或更多个主动部分的端部相距约3nm至约5nm的位置。

【技术实现步骤摘要】
在集成电路中形成金属互连的方法
本揭露是关于一种在集成电路中形成金属互连的方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit；IC)产业已经历指数发展。在半导体IC设计中，半导体元件的金属互连层(例如M0及M1)在晶片上的不同元件之间传输电信号。金属互连层可经由通孔连接至另一结构，如上层或下层的金属互连层。随着IC的不断按比例缩小，元件区域中布置了更多数目的金属互连，增加了此区域中金属互连的密度。因此，由于按比例缩小，元件区域中的寄生电容会相应增加，从而影响元件的速度。
技术实现思路
在一些实施方式中，用于在IC中形成金属互连的一方法包括：将金属互连放置在布局区域中，确定金属互连的多余部分的位置，及在此位置将金属互连的长度减去多余部分的长度，以形成金属互连的一或更多个主动部分。多余部分的长度是IC相邻栅结构(gatestructures)之间距离的函数。此方法亦包括在IC的层间介电(interlayerdielectric；ILD)层上形成一或更多个主动部分，并在一或更多个主动部分上形成通孔，其中通孔位于与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在一集成电路(IC)中形成金属互连的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：/n在一布局区域中放置一金属互连；/n确定该金属互连的一多余部分的一位置；/n在该位置，将该金属互连的该长度减去该多余部分的一长度，以形成该金属互连的一或更多个主动部分，其中该多余部分的该长度是该IC的相邻栅结构之间的一距离的一函数；/n在该IC的一层间介电(ILD)层上形成该一或更多个主动部分；以及/n在该一或更多个主动部分上形成通孔，其中该等通孔位于距离该一或更多个主动部分的一端部约3nm至约5nm的位置。/n

【技术特征摘要】
20180921 US 62/734,709;20190805 US 16/531,2321.一种用于在一集成电路(IC)中形成金属互连的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
在一布局区域中放置一金属互连；
确定该金属互连的一多余部分的一位置；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：林義雄，黄禹轩，赖志明，刘如淦，张尚文，邱奕勋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71