一种二次退火的单晶硅SE-PERC电池的制造方法技术

本发明专利技术公开一种二次退火的单晶硅SE‑PERC电池的制造方法，步骤包括制绒、扩散、正面激光、刻蚀、退火、背面钝化膜、正面钝化膜、背面激光、丝网印刷、烧结、测试，其特征在于：在所述正面激光步骤之后、刻蚀步骤之前增加修复损伤退火步骤。通过在正面激光步骤后进行激光退火步骤，把硅片放入管式退火炉中退火，达到修复正面激光对硅片表面造成损伤的作用，钝化表面减少载流子复合，提升晶硅电池的开压和短流。

Manufacturing method of a secondary annealed single crystal silicon se-perc battery

【技术实现步骤摘要】
一种二次退火的单晶硅SE-PERC电池的制造方法
本专利技术涉及太阳能电池
，尤其是一种二次退火的单晶硅SE-PERC电池的制造方法。
技术介绍
随着单晶硅SE-PERC电池的兴起，激光在晶硅电池片的制备过程中被更加广泛的应用，激光开槽、选择发射极的制备等都离不开激光的身影。金属卷绕背接触（MWT）以及发射极穿透（EWT）等技术亦需要激光穿孔才能实现。传统的单晶硅SE-PERC电池制造步骤为：1.制绒：选用湿法技术，在P型单晶硅片表面形成绒面；2.扩散：通过扩散形成P-N结；3.正面激光：制备选择发射极，用激光对硅片表面进行重掺杂；4.刻蚀：使用HF/HNO3溶液进行背面抛光，使用HF去除正面及背面扩散过程中形成的磷硅玻璃(PSG)；5.退火：重新激活硅片表面死层中的磷原子，修复悬挂键，形成二氧化硅层；6.背面钝化膜：制备氧化铝及氮化硅膜；7.正面钝化膜：制备氮化硅或者氧化硅钝化膜，降低反射率，降低硅片的表面复合速度；8.背面激光：形成背接触；9.丝网印刷：印刷背银、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二次退火的单晶硅SE-PERC电池的制造方法，步骤包括制绒、扩散、正面激光、刻蚀、退火、背面钝化膜、正面钝化膜、背面激光、丝网印刷、烧结、测试，其特征在于：/n在所述正面激光步骤之后、刻蚀步骤之前增加修复损伤退火步骤，所述修复损伤退火步骤包括四个程序；/n程序一，将硅片放入管式退火炉中；/n程序二，将所述退火炉升温至650～750摄氏度，同时在所述退火炉中通入氮气以保证各温区同步升温；/n程序三，所述退火炉内温度稳定后，把所述退火炉内温度控制在600～700摄氏度，同时在所述退火炉中通入氧气和氮气；/n程序四，进行降温、吹扫后，将硅片从所述退火炉中取出。/n

【技术特征摘要】
1.一种二次退火的单晶硅SE-PERC电池的制造方法，步骤包括制绒、扩散、正面激光、刻蚀、退火、背面钝化膜、正面钝化膜、背面激光、丝网印刷、烧结、测试，其特征在于：
在所述正面激光步骤之后、刻蚀步骤之前增加修复损伤退火步骤，所述修复损伤退火步骤包括四个程序；
程序一，将硅片放入管式退火炉中；
程序二，将所述退火炉升温至650～750摄氏度，同时在所述退火炉中通入氮气以保证各温区同步升温；
程序三，所述退火炉内温度稳定后，把所述退火炉内温度控制在600～700摄氏...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩大伟，林纲正，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33