【技术实现步骤摘要】
光伏电池片制备方法
本专利技术涉及光伏领域，尤其涉及一种光伏电池片制备方法。
技术介绍
选择性发射极SE(SelectiveEmitter)晶体硅太阳电池是一种高效能光伏电池片，其主要通过在金属栅线(电极)与硅片接触部位处进行重掺杂，在电极之间的位置则进行轻掺杂，这种结构可降低扩散层的复合，从而提高光波的短波响应，同时减少电极与硅片的接触电阻从而使得开路电压、短路电流、填充因子得以改善，提高电池片的转化效率。在构造SE电池的实现途径上研究人员开发出诸如：激光掺杂选择性发射电极(LDSE)、印刷磷浆、腐蚀扩散掩膜层、硅墨技术等方法，然而诸多方法在量产过程中由于印刷机的精度误差以及网版的尺寸漂移，均遇到电极印刷偏移的瓶颈，而印刷偏移致使电极不能与重掺区域完美结合，从而导致电池片的EL测试不良、效率降低等问题。因此，如何解决电极在印刷过程中的偏移问题，是当前SE电池制备过程中需要面临的一个难题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种光伏电池片制备方法，以改善现有技术中印刷电极易发生偏移的问题。
【技术保护点】
1.一种光伏电池片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在硅片表面设定若干狭长型的主栅电极印刷区；/n在所述主栅电极印刷区内制备凹坑；/n利用图像采集装置识别所述凹坑的位置，并确认导电浆料的印刷位置；/n将导电浆料印刷于所述主栅电极印刷区内，以形成主栅电极。/n
【技术特征摘要】
1.一种光伏电池片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在硅片表面设定若干狭长型的主栅电极印刷区；
在所述主栅电极印刷区内制备凹坑；
利用图像采集装置识别所述凹坑的位置，并确认导电浆料的印刷位置；
将导电浆料印刷于所述主栅电极印刷区内，以形成主栅电极。
2.如权利要求1所述的光伏电池片制备方法，其特征在于，在所述主栅电极印刷区内制备凹坑，包括：
选定若干主栅电极印刷区中的首、尾两个主栅电极印刷区；
在首、尾主栅电极印刷区内分别制备一个凹坑，且凹坑沿硅片边缘设置。
3.如权利要求2所述的光伏电池片制备方法，其特征在于，在制备凹坑时，利用激光击穿所述首、尾两个主栅电极印刷区的表面，使凹坑内暴露出灰色的硅衬底。
4.如权利要求3所述的光伏电池片制备方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：程雪原，张飞，杨雪梅，周彬，衡阳，郑旭然，王栩生，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯阳光电力集团有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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