半导体装置制造方法及图纸

实施方式的半导体装置具备：第一基板，具有多个第一贯通孔；多个第一电极，在第一基板上分别与多个第一贯通孔邻接地设置；多个第二电极，在第一基板上分别与第一贯通孔邻接且分别与第一电极对置地设置；以及第二基板，与第一基板对置地设置，具有分别与多个第一贯通孔对置的多个第二贯通孔，至少在与第一基板对置的对置面上具有导电性，且与第二电极电连接。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
承担半导体器件的细微化进展的光刻技术是极其重要的工序。近年来，伴随着LSI的高集成化，半导体器件所要求的电路线宽逐年细微化。由于电子线(电子束)描绘技术在本质上具有优异的分辨率，因此对掩模坯(Maskblanks)使用电子线来进行掩模图案的描绘。使用了多电子束(多束)的描绘装置与描绘一条电子束的情况相比，能够大幅度提高生产率。在这样的多束方式的描绘装置中，例如使从电子枪释放的电子束通过具有多个孔的成型孔径来形成多束。构成所形成的多束的各个电子束利用消隐孔径阵列进行消隐控制。通过消隐孔径阵列偏转后的电子束被遮挡(消隐)，没有被偏转的电子束照射到掩模坯等试料。在消隐孔径阵列设有供各个电子束通过的贯通孔。而且，在贯通孔的周围分别设有用于使电子束偏转的一对电极对。在消隐孔径阵列的制造中，使用半导体制造技术，例如可采用在硅(Si)基板形成上述各个贯通孔以及各个电极对等的方法。在使用多束进行图案的描绘时，利用向设于消隐孔径阵列的电极对间施加的电压所产生的电场，能够使各个电子束独立地偏转。此时，存在因用于使成为对象的电子束偏转的电极对以外的电极对所产生的电场的影响而导致产生不希望的束的偏转、串扰的问题。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够抑制串扰的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一基板，具有多个第一贯通孔；多个第一电极，在第一基板上分别与多个第一贯通孔邻接地设置；多个第二电极，在第一基板上与第一贯通孔分别邻接且分别与第一电极对置地设置；以及第二基板，与第一基板对置地设置，具有与多个第一贯通孔分别对置的多个第二贯通孔，至少在与第一基板对置的对置面上具有导电性，且与第二电极电连接。附图说明图1是第一实施方式的电子束描绘装置的示意剖面图。图2是第一实施方式的半导体装置的示意俯视图。图3是第一实施方式的半导体装置的示意剖面图。图4是表示第一实施方式的半导体装置的主要部分的一个例子的示意俯视图。图5A到图5E是表示第一实施方式的半导体装置中的第一贯通孔、第二贯通孔以及电源电极的一个例子的示意图。图6是第二实施方式的半导体装置的示意剖面图。图7是第二实施方式的其他方式的半导体装置的示意剖面图。图8是第三实施方式的半导体装置的示意剖面图。具体实施方式以下，使用附图对实施方式进行说明。另外，在附图中，对相同或者类似的位置标注相同或者类似的附图标记。在本说明书中，对于相同或者类似的部件，有标注相同的附图标记并省略重复的说明的情况。在本说明书中，为了表示部件等的位置关系，将附图的上方向记述为“上”，将附图的下方向记述为“下”。在本说明书中，“上”、“下”的概念并不一定是表示与重力的朝向的关系的词语。以下，作为荷电粒子束的一个例子，对使用了电子束的构成进行说明。但是，荷电粒子束不限于电子束，也可以是使用了离子束等的荷电粒子的束。(第一实施方式)本实施方式的半导体装置具备：第一基板，具有多个第一贯通孔；多个第一电极，在第一基板上与多个第一贯通孔的每一个邻接地设置；多个第二电极，在第一基板上与第一贯通孔的每一个邻接且分别与第一电极对置地设置；以及第二基板，与第一基板对置地设置，具有与多个第一贯通孔的每一个对置的多个第二贯通孔，至少在与第一基板的对置面上具有导电性，且与第二电极电连接。图1是本实施方式的电子束描绘装置150的示意剖面图。电子束描绘装置150是多荷电粒子束描绘装置的一个例子。本实施方式的半导体装置100a是使用于电子束描绘装置150的消隐孔径阵列。电子束描绘装置150具备电子镜筒102(多电子束柱)与描绘室103。在电子镜筒102内配置有电子枪201、照明透镜202、成型孔径阵列203、半导体装置100a(消隐孔径阵列)、缩小透镜205、限制孔径部件206、物镜207、主偏转器208、以及副偏转器209。这里，定义正交坐标系(x、y、z轴)。即，定义x轴和与x轴正交的y轴、以及与x轴及y轴分别正交的z轴。电子枪201向z方向释放电子束200。另外，试料101配置于与xy面平行的面内。另外，x方向是第一方向的一个例子，y方向是第二方向的一个例子。从电子枪201释放的电子束200利用照明透镜202，大致垂直地对成型孔径阵列203进行照明。然后，电子束200通过成型孔径阵列203的开口部，从而形成多束110。多束110具有电子束120a、120b、120c、120d、120e以及120f。各个电子束120的形状反映了成型孔径阵列203的开口部的形状，例如为矩形形状。另外，在图1中示出了成型孔径阵列203的开口部的个数为6个，但并不限定于此。利用成型孔径阵列203形成的多束110的根数在图1中为6根。但是，形成的多束110的根数当然不限于6根。作为一个例子，成型孔径阵列203的开口部在x方向以及y方向上分别各以512个配置为矩阵状。作为消隐孔径阵列的半导体装置100a设于成型孔径阵列203之下。通过半导体装置100a偏转后的电子束120其从限制孔径部件206的中心的孔起，位置发生偏移，被限制孔径部件206遮挡。另一方面，未偏转的电子束120穿过限制孔径部件206的中心的孔。由此，控制电子束的通断。穿过了限制孔径部件206的电子束120利用物镜207聚焦，成为希望的缩小率的图案像，利用主偏转器208以及副偏转器209一并偏转。然后，照射到载置于XY工作台105的试料101上的各个照射位置。在XY工作台105上还配置有XY工作台105的位置测定用的镜210。图2是本实施方式的半导体装置100a的示意俯视图。图3是图2所示的本实施方式的半导体装置100a的、A－A’线的示意剖面图。使用图2与图3，对本实施方式的半导体装置100a进行说明。第一基板20例如是硅基板等半导体基板。在图2以及图3中，第一基板20的基板表面平行于xy面地配置。第一基板20具有多个第一贯通孔12。在图3中，作为多个第一贯通孔，示出了第一贯通孔12a、12b、12c、12d、12e以及12f。在图2中，示出了第一贯通孔12在x方向以及y方向上分别各配置有6个。另外，多个第一贯通孔12的个数当然并不限定于此。多个电源电极14(第一电极的一个例子)设于第一基板20之上的多个第一贯通孔12各自的周边。在图3中，在第一贯通孔12a、12b、12c、12d、12e、12f的周围分别设有电源电极14a、14b、14c、14d、14e、14f。接地电极16(第二电极的一个例子)设于第一基板20之上。在图3中，接地电极16以隔着第一贯通孔12而与电源电极14对置的方式设置。例如，接地电极16a、16b、16c、16d、16e以及16f以分别隔着第一贯通孔12a、12b、12c、12d、12e以及12f而与对应的电源电极14a、14b、14c、14d、14e以及14f对置的方式设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n第一基板，具有多个第一贯通孔；/n多个第一电极，在所述第一基板上分别与多个所述第一贯通孔邻接地设置；/n多个第二电极，在所述第一基板上与所述第一贯通孔分别邻接且分别与所述第一电极对置地设置；以及/n第二基板，与所述第一基板对置地设置，具有与多个所述第一贯通孔分别对置的多个第二贯通孔，至少在与所述第一基板对置的对置面上具有导电性，且与所述第二电极电连接。/n

【技术特征摘要】
20180919 JP 2018-1754321.一种半导体装置，具备：
第一基板，具有多个第一贯通孔；
多个第一电极，在所述第一基板上分别与多个所述第一贯通孔邻接地设置；
多个第二电极，在所述第一基板上与所述第一贯通孔分别邻接且分别与所述第一电极对置地设置；以及
第二基板，与所述第一基板对置地设置，具有与多个所述第一贯通孔分别对置的多个第二贯通孔，至少在与所述第一基板对置的对置面上具有导电性，且与所述第二电极电连接。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，
在所述第二贯通孔之下设有所述第一贯通孔和所述第一基板的一部分。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，
所述第二贯通孔的开口形状为，与综合了所述第一电极与所述第一贯通孔的上表面形状后的形状大致相似的形状。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，
所述第二贯通孔比所述第一贯通孔大。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，
所述第二贯通孔比所述第一贯通孔小。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，
所述第二基板包含重金属。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，
所述第二基板的板厚为10μm以上。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，
所述第二基板在与所述第一基板对置的所述对置面上具有导电膜，所述导电膜与所述第二电极电连接。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，
在所述第一电极之上配置有所述第二基板的一部分。


10.根据权利要求9所述的半导体装置，
还具备设于所述第二电极与所述第二基板之间的突起部。


11.根据权利要求9所述的半导体装置，
所述第二基板具有与所述第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田史朗，松尾美惠，山下浩，锅屋信介，片冈宪一，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP