【技术实现步骤摘要】
一种多线圈电流控制的均匀性调节方法
本专利技术涉及一种通过算法调节离子注入机的多线圈磁铁电流的大小来改变磁场分布,从而实现束流均匀性优化的
技术介绍
半导体集成电路制造工艺已发展到12英寸晶片、纳米技术节点时期。随着晶圆片尺寸越来越大,单元器件尺寸越来越小,对半导体工艺设备的性能要求也就越来越高,因此低能大束流离子注入机已经是半导体集成电路器件制造工艺中必不可少的关键设备,与传统的注入机不同,低能大束流离子注入对设备在束平行性、束能量纯度、离子束减速技术、注入晶圆电荷消除技术、离子束扩束技术、注入深度控制、注入重复性、均匀性与生产率等方面都提出了更高的要求。该类离子注入机通过调节每组线圈的电流状态,改变束流通过区域的磁场分布,进而实现束流均匀性的调节。
技术实现思路
本专利技术针对上述需求而提出的一种简单、可靠的算法调节方式,算出每一个线圈磁铁的电流最终实现束流整体均匀性的调节。具体步骤如下:如图1所示,测量线圈未通电的束流base值(1)、9个线圈分别加相同的电流测量每一的次束流值(2 ...
【技术保护点】
1.一种多线圈电流控制的均匀性调节方法,其特征在于:通过前期数据测量建立束流的函数关系,可大大提高程序运算速度,真正实现束流均匀性的动态调节。/n
【技术特征摘要】
1.一种多线圈电流控制的均匀性调节方法,其特征在于:通过前期数据测量建立束流的函数关系,可大大提高程序运算速度,真正实现束流均匀性的动态调节。
2.一种多线圈电流控制的均匀性调节方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:王锦喆,李冠稼,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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