改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：在淀积掺杂非晶硅薄膜时，在参与反应的气体中通入锗烷。淀积时，淀积温度300～450摄氏度，压力1～10Torr，高频功率100～1000w,低频功率100～1000w,硅烷流量100～1000sccm，淀积时间10～100s，Ar流量500～5000sccm。锗烷流量为10～1000sccm，淀积时间10～100s。本发明专利技术在通入了一定量的锗烷后，由于Ge和B的结合能力与硅不同从而改变了掺杂的分布，改善了面内均一性。

A method to improve in-plane homogeneity of block resistance in doped amorphous silicon films

【技术实现步骤摘要】
改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法
本专利技术涉及半导体制造工艺领域，特别是指一种半导体薄膜的制备方法，具体是改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法。
技术介绍
非晶硅是硅的同素异形体形式，能够以薄膜形式沉积在各种基板上，为各种电子应用提供某些独特的功能。非晶硅被用在大规模生产的微机电系统(MEMS)和纳米机电系统(NEMS)、太阳能电池、微晶硅和微非晶硅，甚至对于各种基板上的滚压工艺技术都有应用。非晶体硅材料被广泛运用在半导体的各个领域，当非晶硅被使用在金属后的工艺中时，需要使用温度较低的工艺以避免金属线的熔化。制备氢化非晶硅薄膜的主要方法有物理气相沉积法（PVD），化学气相沉积法（CVD）。而其中的PVD法基本上指溅射法，CVD法有热丝化学气相沉积法（HW-CVD）,微波等离子电子回旋共振化学气相沉积法（MWECR-CVD）以及等离子增强化学气相沉积法（PECVD）。等离子增强化学气相沉积法产生等离子体的过程为反应提供的大量能量是其区别于其他CVD方法的显著特征，当等离子体化学气相淀积制备薄膜时反应气体电离产生大量的高温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：在淀积掺杂非晶硅薄膜时，在通入的包含有硅烷以及载气的反应气体中增加反应气体锗烷。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：在淀积掺杂非晶硅薄膜时，在通入的包含有硅烷以及载气的反应气体中增加反应气体锗烷。


2.如权利要求1所述的改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：淀积时，淀积温度300～450摄氏度，压力1～10Torr，高频功率100～1000w,低频功率100～1000w,硅烷流量100～1000sccm，淀积时间10～100s，Ar流量500～5000sccm。


3.如权利要求1所述的改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：所述通入的锗烷流量为10～1000sccm，淀积时间10～100s。


4.如权利要求1所述的改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：通入了一定量的锗烷后，由于Ge和B的结合能力与硅不同从而改变了掺杂的分布，改善了面内均一性。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王剑敏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31