【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷封装基座材料组合物及其应用
本专利技术涉及一种陶瓷封装基座材料组合物及其应用，属于陶瓷
技术介绍
电子产品在现代生活中无处不在，电子元器件的精密度要求较高，为确保其不受外界环境干扰、保证工作精度和延长工作寿命，需要将电子元器件安装到陶瓷封装基座上，并对电子元器件进行封装。例如，在声表面波滤波器(SAW)中，需要利用陶瓷封装基座对芯片进行气密性封装，起到电气连接、信号传输和保护芯片的作用。常见的陶瓷封装基座在生坯加工成型的过程中采用预压槽的方式，使陶瓷封装基座组合板在烧结后可以沿着预压槽刀痕进行分片，从而获得单个陶瓷封装基座。但是，在一些陶瓷封装基座中则不通过预压槽的方式来实现分片，例如SAW陶瓷封装基座采用的方式为：在整片陶瓷封装基座组合板上先进行芯片贴片封装，然后再通过例如砂轮切割等方式进行分片。由于作为基座的原材料一般采用Si-Mg-Ga体系的92氧化铝陶瓷配方，其烧结后氧化铝晶粒多为圆球形，且液相比例较高时(液相比例指陶瓷配方中高温下形成液相的助烧剂比例)，烧结过程容易在陶瓷中聚集，形成应力破...
【技术保护点】
1.一种陶瓷封装基座材料组合物，其特征在于，所述组合物包含以下质量百分含量的组分：二氧化硅1.6％～3.0％、三氧化二铬3.4％～6.4％、氧化钙0.25％～1％、钼0.2％～0.5％、二氧化锰0.5％～2％、余量为氧化铝。/n
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷封装基座材料组合物，其特征在于，所述组合物包含以下质量百分含量的组分：二氧化硅1.6％～3.0％、三氧化二铬3.4％～6.4％、氧化钙0.25％～1％、钼0.2％～0.5％、二氧化锰0.5％～2％、余量为氧化铝。
2.如权利要求1所述的陶瓷封装基座材料组合物，其特征在于，所述组合物包含以下质量百分含量的组分：二氧化硅2.3％、三氧化二铬3.7％、氧化钙0.65％、钼0.3％、二氧化锰0.8％、余量为氧化铝。
3.如权利要求1所述的陶瓷封装基座材料组合物，其特征在于，所述组合物还包含以下质量百分含量的组分：氧化镁0～2％、三氧化二铁0～1％、二氧化钛0～1.5％。
4.如权利要求3所述的陶瓷封装基座材料组合物，其特征在于，所述氧化镁的质量百分比为0.15％，所述三氧化二铁的质量百分比为0.1％，所述二氧化钛的质量百分比为0.1％。
5.如权利要求1所述的陶瓷封装基座材料组合物，其特征在于，所述组合物不含氧化锆。
6.如权利要求1所述的陶瓷封装基座材料组合物，其特征在于，所述组合物由以下质量百分含量的组分组成：二氧化硅1.6％～3.0％、三氧化二铬3.4％～6.4％、氧化钙0.25％～1％、钼0.2％～0.5％、二氧化锰0.5％～2％、氧化镁0～2％、三氧化二铁0～1％、二氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱基华，陈烁烁，李钢，
申请(专利权)人：潮州三环集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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