【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有封装级可配置性的半导体装置相关申请案的交叉参考本申请案含有与詹姆斯E.戴维斯(JamesE.Davis)、凯文G.杜斯曼(KevinG.Duesman)、杰弗里P.莱特(JeffreyP.Wright)及沃伦L.波伊尔(WarrenL.Boyer)的标题为“具有后探针可配置性的半导体装置(SEMICONDUCTORDEVICESWITHPOST-PROBECONFIGURABILITY)”的共同申请的美国专利申请案相关的标的物。所述相关申请案(其揭示内容以引用方式并入本文中)被转让给美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)，且由代理人档案号010829-9271.US00识别。
本专利技术大体上涉及半导体装置，且更特定来说，涉及具有封装级可配置性的半导体装置。
技术介绍
封装半导体裸片(包含存储器芯片、微处理器芯片及成像器芯片)通常包含安装在衬底上且围封在塑料保护罩中或被导热盖覆盖的一或多个半导体裸片。裸片可包含有源电路(例如，提供例如存储器单元、处理器电路及/或成像器装置的功能特征)及...
【技术保护点】
1.一种半导体装置组合件，其包括：/n衬底；/n裸片，其经耦合到所述衬底，所述裸片包含：/n第一接触垫，其电耦合到所述裸片上的第一电路，所述第一电路包含至少一个有源电路元件，及/n第二接触垫，其电耦合到所述裸片上的第二电路，所述第二电路仅包含无源电路元件；/n其中所述衬底包含电耦合到所述裸片上的所述第一接触垫及所述第二接触垫两者的衬底接触件。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171113 US 15/811,5721.一种半导体装置组合件，其包括：
衬底；
裸片，其经耦合到所述衬底，所述裸片包含：
第一接触垫，其电耦合到所述裸片上的第一电路，所述第一电路包含至少一个有源电路元件，及
第二接触垫，其电耦合到所述裸片上的第二电路，所述第二电路仅包含无源电路元件；
其中所述衬底包含电耦合到所述裸片上的所述第一接触垫及所述第二接触垫两者的衬底接触件。
2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述裸片是第一裸片，所述半导体装置组合件进一步包括：
第二裸片，其包含：
第三接触垫，其电耦合到所述第二裸片上的第三电路，所述第三电路包含至少第二有源电路元件，及
第四接触垫，其电耦合到所述第二裸片上的第四电路，所述第四电路仅包含无源电路元件；
其中所述衬底接触件电耦合到所述第二裸片上的所述第三接触垫，且
其中所述第二裸片上的所述第四接触垫与所述衬底接触件电切断。
3.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其中所述第一裸片及所述第二裸片是相同裸片，其中所述第一裸片上的所述第一接触垫对应于所述第二裸片上的所述第三接触垫，且所述第一裸片上的所述第二接触垫对应于所述第二裸片上的所述第四接触垫。
4.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其中所述第一裸片及所述第二裸片是以叠瓦式配置堆叠。
5.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其中所述第一裸片进一步包含第五接触垫，所述第五接触垫电耦合到所述第一裸片上的第五电路，所述第五电路仅包含无源电路元件，且其中所述衬底接触件电耦合到所述第一裸片上的所述第五接触垫。
6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一电路是驱动器电路。
7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第二电路包含用于提供静电放电ESD保护的一或多个电容器。
8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述衬底接触件通过一或多个接线电耦合到所述第一接触垫及所述第二接触垫。
9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述衬底接触件通过所述第一接触垫与所述第三接触垫之间的接线电耦合到所述第三接触垫。
10.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中裸片是NAND存储器裸片。
11.一种半导体装置组合件，其包括：
衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·E·戴维斯，J·B·普西，尹治平，K·G·杜斯曼，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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