一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统，该系统由三维叠层封装SRAM器件，电源模块，单粒子翻转数据分析模块组成，三维叠层封装SRAM器件与单粒子翻转数据分析模块连接，电源模块与三维叠层封装SRAM器件连接，所述三维叠层封装SRAM器件为3层‑10层，三维封装SRAM器件中各层之间需对齐，电源模块对三维叠层封装SRAM器件的各层分别供电，单粒子翻转数据分析模块通过分析三维叠层封装SRAM器件各层翻转存储单元的相对位置，完成单粒子翻转的在轨甄别，该系统能够在轨甄别单粒子翻转，并获取导致单粒子翻转高能粒子的LET及入射角度信息。进而分析电子器件真实的在轨单粒子翻转率，这对于单粒子效应产生机理、评估方法及加固技术研究具有重要的意义。

An on orbit single particle flip discrimination system based on three-dimensional stacked SRAM

【技术实现步骤摘要】
一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统
本专利技术属于空间辐射效应探测
，具体涉及一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统。
技术介绍
空间辐射环境是引起航天器电子元器件性能退化甚至功能失效的主要环境因素。其中重离子、质子等带电粒子在器件的灵敏区内产生大量的带电粒子，诱发单粒子效应，从而引起电子元器件发生单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子功能中断等现象。单粒子效应是影响航天器安全、可靠性运行的主要因素之一。单粒子翻转是指数字集成电路中存储单元、寄存器等数据存储结构发生0到1或1到0的数据翻转，是数字集成电路单粒子效应的主要表现形式。然而对于空间辐射环境应用的数字集成电路，充放电效应、电源电压扰动等其他因素也可导致数据存储结构发生数据翻转，与单粒子效应难以区分。分析在轨翻转数据，甄别出单粒子翻转的原因对于单粒子效应机理研究及有效加固具有重要意义。同时，准确的在轨单粒子翻转试验数据可用于验证单粒子在轨翻转率计算模型，指导单粒子效应理论研究。反之，将充放电效应、电源电压扰动等其他因素导致的数据翻转误认为单粒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统，其特征在于，该系统由三维叠层封装SRAM器件（1），电源模块（2），单粒子翻转数据分析模块（3）组成，三维叠层封装SRAM器件（1）与单粒子翻转数据分析模块（3）连接，电源模块（2）与三维叠层封装SRAM器件（1）连接，所述三维叠层封装SRAM器件（1）为3层-10层，三维封装SRAM器件（1）中各层之间需对齐，电源模块（2）对三维叠层封装SRAM器件（1）的各层分别供电，单粒子翻转数据分析模块（3）通过分析三维叠层封装SRAM器件（1）各层翻转存储单元的相对位置，完成单粒子翻转的在轨甄别，具体操作按下列步骤进行：/na、通过地面重...

【技术特征摘要】
1.一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统，其特征在于，该系统由三维叠层封装SRAM器件（1），电源模块（2），单粒子翻转数据分析模块（3）组成，三维叠层封装SRAM器件（1）与单粒子翻转数据分析模块（3）连接，电源模块（2）与三维叠层封装SRAM器件（1）连接，所述三维叠层封装SRAM器件（1）为3层-10层，三维封装SRAM器件（1）中各层之间需对齐，电源模块（2）对三维叠层封装SRAM器件（1）的各层分别供电，单粒子翻转数据分析模块（3）通过分析三维叠层封装SRAM器件（1）各层翻转存储单元的相对位置，完成单粒子翻转的在轨甄别，具体操作按下列步骤进行：
a、通过地面重离子加速器的模拟试验，获得精确的三维叠层封装SRAM器件（1）各层的相对位置，SRAM芯片存储单元的尺寸在微米...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑齐文，崔江维，余学峰，陆妩，孙静，李豫东，郭旗，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：新疆;65