【技术实现步骤摘要】
半导体装置制造方法
本揭露是关于一种半导体装置制造方法。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit,IC)包括一或多个半导体装置。一种表示半导体装置的方式是用被称为布局图的平面视图。在设计规则的上下文中产生布局图。设计规则集合限制对应图案在布局图中的安置,例如,地理/空间限制、连接性限制、或类似者。经常,设计规则集合包括关于在相邻或邻接单元中的图案之间的间隔或其他相互作用的设计规则子集,其中图案表示金属化层中的导体。通常,设计规则集合特定于制程技术节点,借此将基于布局图制造半导体装置。设计规则集合补偿对应制程技术节点的变化性。此种补偿使得由布局图产生的半导体装置对应至基于布局图的虚拟装置的接受可能性增加。
技术实现思路
本揭露提供一种半导体装置的制造方法,包括:针对储存在非暂态计算机可读取媒体上的布局图产生一布局图包括:用一组单元填充在第一方向上延伸的行,每个单元表示电路,并且每个单元的第一及第二侧边界是实质上平行的且在第二方向上延伸,此第二方向实质上垂直于第一方向;相对于第一方向定 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置制造方法,其特征在于,该半导体装置制造方法包含:/n产生储存在一非暂态计算机可读取媒体上的一布局图,该布局图的产生包括:/n将多个单元所形成的一组单元填充在一第一方向上延伸的一行,其中该组单元中的各单元分别表示一电路,该组单元中的各单元的一第一侧边界及一第二侧边界实质上平行且在一第二方向上延伸,该第二方向实质上垂直于该第一方向;/n相对于该第一方向定位该组单元,使得该组单元中的多个相邻单元实质上邻接;以及/n通过执行下列至少一个以减少该组单元的一累积泄漏趋势:/n改变该组单元中至少一单元的定向;或/n对应地改变该组单元中至少二单元的位置。/n
【技术特征摘要】
20180831 US 62/725,570;20190821 US 16/547,0651.一种半导体装置制造方法,其特征在于,该半导体装置制造方法包含:
产生储存在一非暂态计算机可读取媒体上的一布局图,该布局图的产生包括:
将多个单元所形成的一组单元填充在一第一方向上延伸的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:比斯瓦思·希兰梅,王中兴,杨国男,林佳汉,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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