CMOS器件制造方法技术

本申请公开了一种CMOS器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成栅极结构和栅极侧墙，所述栅极侧墙为氮化硅材料；沉积ALD氮化硅薄膜，所述ALD氮化硅薄膜覆盖所述衬底表面、所述栅极结构以及所述栅极侧墙；进行离子注入光刻工艺，形成离子注入区图案；解决了现有工艺中，氮化硅侧墙形成后，进行光刻工艺时光刻胶容易出现缺角的问题；达到了避免光刻胶出现倒角、缺角显现，保证离子注入区图案准确性的效果。

CMOS device manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
CMOS器件制造方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种CMOS器件制造方法。
技术介绍
在集成电路制造主流工艺中，栅极侧墙通常采用氮化硅材料，而光刻工艺中使用的光刻胶对含氮材料较为敏感，氮化硅材料容易引起光刻胶变性从而产生倒角现象。现有工艺为了解决倒角现象，通常在光刻之前采用氧气等离子体进行界面处理。然而，在45/40nm及其以下技术节点，由于有源区和浅沟槽隔离的光反射作用，氧气等离子体进行界面处理容易产生光刻胶底部的缺角问题，甚至导致图案失真，影响诸如轻掺杂漏(LDD)/卤素离子注入、S/D(源/漏)离子注入之类的离子注入定义的区域，进而影响器件性能。
技术实现思路
本申请提供了一种CMOS器件制造方法，可以解决相关技术中光刻胶缺角造成离子注入区图案失真的问题。一方面，本申请实施例提供了一种CMOS器件制造方法，该方法包括：在衬底上形成栅极结构和栅极侧墙，栅极侧墙为氮化硅材料；沉积ALD氮化硅薄膜，ALD氮化硅薄膜覆盖衬底表面、栅极结构以及栅极侧墙；进行离子注入光刻工艺，形成离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMOS器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n在衬底上形成栅极结构和栅极侧墙，所述栅极侧墙为氮化硅材料；/n沉积ALD氮化硅薄膜，所述ALD氮化硅薄膜覆盖所述衬底表面、所述栅极结构以及所述栅极侧墙；/n进行离子注入光刻工艺，形成离子注入区图案。/n

【技术特征摘要】
1.一种CMOS器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上形成栅极结构和栅极侧墙，所述栅极侧墙为氮化硅材料；
沉积ALD氮化硅薄膜，所述ALD氮化硅薄膜覆盖所述衬底表面、所述栅极结构以及所述栅极侧墙；
进行离子注入光刻工艺，形成离子注入区图案。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述ALD氮化硅薄膜的厚度为10至50埃。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述ALD氮化硅薄膜时的反应温度为300摄氏度至700摄氏度。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在衬底上形成栅极结构和...

【专利技术属性】
技术研发人员：李润领，陈雪飞，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31