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本申请公开了一种CMOS器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成栅极结构和栅极侧墙，所述栅极侧墙为氮化硅材料；沉积ALD氮化硅薄膜，所述ALD氮化硅薄膜覆盖所述衬底表面、所述栅极结构以及所述栅极侧墙；进行离子注入光刻工艺，...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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