半导体装置的形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置的形成方法包括提供自基板突出的鳍片。鳍片具有与第二外延层交替排列的第一外延层，第一外延层包括第一半导体材料，第二外延层包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料。上述方法亦包括蚀刻位于鳍片的通道区域中的第二外延层的至少一者的侧壁，使得位于通道区域中的第二外延层的至少一者的宽度在蚀刻之后小于与第二外延层的至少一者接触的第一外延层的宽度。上述方法亦包括于鳍片之上形成栅极堆叠。栅极堆叠与第一外延层以及第二外延层接合。

Forming method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本公开实施例大抵上关于半导体装置与制造方法，且特别关于具有纳米片结构的鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistors(FinFETs))及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速地成长。集成电路材料与设计上的技术进展已产生了数个集成电路的世代，其中每一世代具有比前一世代更小且更复杂的电路。在集成电路演进的过程中，功能密度(亦即，单位芯片面积上的互连装置的数量)普遍地增加而几何尺寸(亦即，使用一工艺能产生的最小元件(或线))则降低。此缩小过程通常经由提高生产效率以及降低相关成本而提供许多优点。此缩小过程亦增加了集成电路工艺与制造上的复杂性。最近，纳米片装置(nanosheetdevices)被导入，其是经由增加栅极-通道耦合(gate-channelcoupling)、降低截止状态电流(OFF-statecurrent)以及降低短通道效应(short-channeleffects(SCEs))来增进栅极控制。纳米片装置于堆叠纳米片结构中提供通道，这使得栅极结构可在通道区域的周本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n形成第一鳍片与一第二鳍片，该第一鳍片与该第二鳍片皆具有多个第一外延层与多个第二外延层，该些第一外延层与该些第二外延层交替排列；/n于该第一鳍片与该第二鳍片之上形成一介电层；/n露出该第一鳍片的一通道区域；/n移除该第一鳍片的该通道区域中的该些第二外延层；/n露出该第二鳍片的一通道区域；/n凹蚀该第二鳍片的该通道区域中的相邻第一外延层之间的该些第二外延层；/n于该第一鳍片之上形成一第一栅极堆叠，该第一栅极堆叠围绕该第一鳍片的该通道区域中的该些第一外延层的每一者；以及/n于该第二鳍片之上形成一第二栅极堆叠，该第二栅极堆叠沿着该第二鳍片的该通道区域中的该些第一...

【技术特征摘要】
20180814 US 62/718,823;20190319 US 16/357,6821.一种半导体装置的形成方法，包括：
形成第一鳍片与一第二鳍片，该第一鳍片与该第二鳍片皆具有多个第一外延层与多个第二外延层，该些第一外延层与该些第二外延层交替排列；
于该第一鳍片与该第二鳍片之上形成一介电层；
露出该第一鳍片的一通道区域；
移除该第一鳍片的该通...

【专利技术属性】
技术研发人员：江欣哲，梁春昇，潘国华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71