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一种半导体装置的形成方法包括提供自基板突出的鳍片。鳍片具有与第二外延层交替排列的第一外延层，第一外延层包括第一半导体材料，第二外延层包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料。上述方法亦包括蚀刻位于鳍片的通道区域中的第二外延层的至少一者的侧壁...
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