形成具有倾斜侧壁的材料层的方法及半导体器件技术

本发明专利技术涉及一种形成具有倾斜侧壁的材料层的方法及半导体器件。该方法包括：在第一薄膜上形成底层光刻胶和顶层光刻胶；顶层光刻胶与底层光刻胶均为正胶，底层光刻胶比顶层光刻胶的光敏度低；或底层光刻胶与顶层光刻胶均为负胶，底层光刻胶的光敏度比顶层光刻胶的光敏度高；曝光、显影后形成光刻层，刻蚀第一薄膜形成侧壁倾角小于等于80度的材料层。本方法避免了在材料层形成后沉积二氧化硅时材料层侧壁沉积的二氧化硅偏薄，后续湿法工艺去除多余的二氧化硅时，腐蚀液钻蚀到材料层下方形成空洞的问题，以及材料层形成后溅射金属薄膜，刻蚀去除多余的金属薄膜时侧壁金属薄膜的残留问题，提高了器件的良率。

Method of forming material layer with inclined sidewall and semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
形成具有倾斜侧壁的材料层的方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种形成具有倾斜侧壁的材料层的方法及半导体器件。
技术介绍
传统工艺中多晶硅层的形成方式是在多晶硅薄膜淀积后通过涂覆光刻胶、曝光和显影形成光刻层，然后采用干法刻蚀去除未被光刻胶覆盖的多晶硅薄膜及光刻层，从而形成多晶硅层，但是这种方式形成的多晶硅层，侧壁形貌比较陡直，多晶硅层的侧壁倾角通常大于80度。如果在多晶硅层形成后淀积二氧化硅，在二氧化硅沉积过程中侧壁形成的二氧化硅相对较薄，后续采用湿法工艺去除多余的二氧化硅时，腐蚀液容易钻蚀并在多晶硅层下方形成空洞，影响器件的性能。如果在多晶硅层形成后溅射金属薄膜，经光刻曝光、显影后侧壁处容易残留光刻胶，后续刻蚀去除多余的金属薄膜时侧壁残留有金属，导致器件失效。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述问题，提供一种形成具有倾斜侧壁的材料层的方法及半导体器件。一种形成具有倾斜侧壁的材料层的方法，包括：获取衬底，所述衬底上形成有第一薄膜；在所述第一薄膜上形成底层光刻胶；在所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成具有倾斜侧壁的材料层的方法，包括：/n获取衬底，所述衬底上形成有第一薄膜；/n在所述第一薄膜上形成底层光刻胶；/n在所述第一薄膜上形成顶层光刻胶；所述顶层光刻胶与所述底层光刻胶均为正胶，所述底层光刻胶的光敏度比所述顶层光刻胶的光敏度低；或所述顶层光刻胶与所述底层光刻胶均为负胶，所述底层光刻胶的光敏度比所述顶层光刻胶的光敏度高；/n对所述底层光刻胶和所述顶层光刻胶进行曝光、显影，形成光刻层；/n刻蚀所述第一薄膜并去除所述光刻层形成侧壁倾角小于等于80度的材料层；/n其中，所述侧壁倾角是指所述材料层侧壁与所述材料层底部的夹角。/n

【技术特征摘要】
1.一种形成具有倾斜侧壁的材料层的方法，包括：
获取衬底，所述衬底上形成有第一薄膜；
在所述第一薄膜上形成底层光刻胶；
在所述第一薄膜上形成顶层光刻胶；所述顶层光刻胶与所述底层光刻胶均为正胶，所述底层光刻胶的光敏度比所述顶层光刻胶的光敏度低；或所述顶层光刻胶与所述底层光刻胶均为负胶，所述底层光刻胶的光敏度比所述顶层光刻胶的光敏度高；
对所述底层光刻胶和所述顶层光刻胶进行曝光、显影，形成光刻层；
刻蚀所述第一薄膜并去除所述光刻层形成侧壁倾角小于等于80度的材料层；
其中，所述侧壁倾角是指所述材料层侧壁与所述材料层底部的夹角。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一薄膜的步骤包括：
通过控制刻蚀工艺对所述第一薄膜和所述光刻层的刻蚀选择比，使得在刻蚀所述第一薄膜过程中所述光刻层被部分刻蚀，从而使得所述材料层的侧壁形成具有小于等于80度侧壁倾角的形貌；
对剩余的光刻层进行去胶处理。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顶层光刻胶的厚度大于所述底层光刻胶的厚度。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底层光刻胶的厚度大...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟荣祥，王珏，陈政，钟志鸿，武凌，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33