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本发明涉及一种形成具有倾斜侧壁的材料层的方法及半导体器件。该方法包括：在第一薄膜上形成底层光刻胶和顶层光刻胶；顶层光刻胶与底层光刻胶均为正胶，底层光刻胶比顶层光刻胶的光敏度低；或底层光刻胶与顶层光刻胶均为负胶，底层光刻胶的光敏度比顶层光刻胶...
该专利属于中芯集成电路制造(绍兴)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路制造(绍兴)有限公司授权不得商用。

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