同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底技术

本发明专利技术适用于半导体技术领域，提供了一种同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底，所述方法包括：在氮化镓衬底外延生长异质结前，对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理，且刻蚀角度不等于90度，所述刻蚀角度为所述氮化镓的等离子体加速方向与所述氮化镓衬底的夹角角度。本发明专利技术能够通过斜角干法刻蚀工艺，缓解GaN衬底表面不平整特性，减小硅的吸附面积，抑制副沟道效应。

The processing method and GaN substrate of Homoepitaxy

【技术实现步骤摘要】
同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底
本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底。
技术介绍
相比于现有异质外延氮化镓(GaN)HEMT(HighElectronMobilityTransistor，高电子迁移率晶体管)器件，同质外延GaN具有低位错密度，低电流崩塌、高可靠性和高击穿的优势。但是，由于GaN衬底表面易吸附杂质，常规同质外延GaNHEMT存在副沟道，器件漏电很大。目前低漏电同质外延GaNHEMT器件结构均采用引入杂质补偿或者高温刻蚀工艺抑制副沟道，降低泄漏电流。但是，这些结构均未缓解衬底表面不平整，或者会加大不平整度，硅Si的吸附面积依然很大，暴漏在空气中依然会吸附Si，副沟道效应改善有限。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底，以解决现有技术中因衬底表面不平整而造成副沟道效应的问题。本专利技术实施例的第一方面提供了一种同质外延氮化镓衬底处理方法，包括：在氮化镓衬底外延生长异质结前，对所述氮化镓衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同质外延氮化镓衬底处理方法，其特征在于，包括：/n在氮化镓衬底外延生长异质结前，对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理，且刻蚀角度不等于90度，所述刻蚀角度为所述氮化镓的等离子体加速方向与所述氮化镓衬底的夹角角度。/n

【技术特征摘要】
1.一种同质外延氮化镓衬底处理方法，其特征在于，包括：
在氮化镓衬底外延生长异质结前，对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理，且刻蚀角度不等于90度，所述刻蚀角度为所述氮化镓的等离子体加速方向与所述氮化镓衬底的夹角角度。


2.如权利要求1所述的同质外延氮化镓衬底处理方法，其特征在于，所述对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理包括：
对所述氮化镓衬底进行至少一次的干法刻蚀工艺处理。


3.如权利要求1所述的同质外延氮化镓衬底处理方法，其特征在于，还包括：所述刻蚀角度满足：0°<a<180°，其中，a表示刻蚀角度。


4.如权利要求1所述的同质外延氮化镓衬底处理方法，其特征在于，对所述氮化镓衬底进行至少两次的干法刻蚀工艺处理，且每次干法刻蚀工艺的刻蚀角度不同。


5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王元刚，冯志红，吕元杰，张志荣，周幸叶，谭鑫，宋旭波，梁士雄，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13