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本发明适用于半导体技术领域，提供了一种同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底，所述方法包括：在氮化镓衬底外延生长异质结前，对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理，且刻蚀角度不等于90度，所述刻蚀角度为所述氮化镓的等离子体加速方向与所述氮化镓衬...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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