【技术实现步骤摘要】
对准误差测量方法及装置
本公开涉及光学领域，具体地，涉及一种对准误差测量方法及装置。
技术介绍
根据极紫外光刻技术路线图，随着关键尺寸(CriticalDimension，CD)进入到7nm及以下工艺节点，对套刻精度要求小于2nm。对准传感器用于测量硅片与掩模的相对位置关系，是实现套刻的先决条件，精度要求一般为套刻精度的1/3～1/5，因此对准传感器的精度应达到亚纳米量级。在对准传感器中，相位光栅标记在加工过程和后续处理过程中，尤其是刻蚀、沉积、化学机械抛光以及温度变化的影响，导致相位光栅标记结构变化。相位光栅对准表及结构变化以及对准光学系统波像差的影响，导致对准误差，降低对准精度。因此，为了提高对准精度，需要分析标记结构变化和波像差对对准误差的影响。相关技术中，分开研究对准标记结构变化和波像差对对准精度的影响。采用散射测量方式重建对准标记结构变化，然后在分析该变化对对准精度的影响。对于波像差，一方面在设计阶段严格要求波像差的大小，以减小对对准精度的影响，另一方面采用哈特曼传感器等测量手段直接测量波像差，但是...
【技术保护点】
1.一种对准误差测量方法，包括：/n分别筛选每一预设位置下对准标记产生的一种以上衍射级次的衍射光束，得到每一所述预设位置下的+n衍射级次的衍射光束和-n衍射级次的衍射光束，所述预设位置的个数为四个及以上；/n分别对每一所述预设位置下的+n衍射级次的衍射光束和-n衍射级次的衍射光束进行干涉，以将对准标记结构变化和波像差引入的相位变化编码到产生的干涉信号中；/n分别探测每一所述预设位置下的干涉信号的光强分布；/n根据所述四个及以上预设位置下干涉信号的光强分布计算所述对准标记结构变化和波像差引入的对准误差。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种对准误差测量方法，包括：
分别筛选每一预设位置下对准标记产生的一种以上衍射级次的衍射光束，得到每一所述预设位置下的+n衍射级次的衍射光束和-n衍射级次的衍射光束，所述预设位置的个数为四个及以上；
分别对每一所述预设位置下的+n衍射级次的衍射光束和-n衍射级次的衍射光束进行干涉，以将对准标记结构变化和波像差引入的相位变化编码到产生的干涉信号中；
分别探测每一所述预设位置下的干涉信号的光强分布；
根据所述四个及以上预设位置下干涉信号的光强分布计算所述对准标记结构变化和波像差引入的对准误差。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分别对每一所述预设位置下的+n衍射级次的衍射光束和-n衍射级次的衍射光束进行干涉，包括：
利用衍射光阑分别对每一所述预设位置下的+n衍射级次的衍射光束和-n衍射级次的衍射光束进行干涉；
根据所述+n衍射级次的衍射光束、-n衍射级次的衍射光束和衍射光阑的透射函数产生所述干涉信号。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分别探测每一所述预设位置下的干涉信号的光强分布，包括：
分别探测每一所述预设位置下的干涉信号在远场的光强分布。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述分别探测每一所述预设位置下的干涉信号在远场的光强分布，包括：
分别对每一所述预设位置下的干涉信号进行傅里叶变换；
分别计算每一所述预设位置下进行傅里叶变换后的干涉信号的光强分布。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述干涉信号的光强分布为：
其中，I(kx)为预设位置为x时干涉信号的光强分布，C1、C2为常数，En、E-n分别为+n衍射级次、-n衍射级次的衍射光束的振幅，Δψn为所述对准标记结构变化和波像差引入的总相位误差，d为所述对准标记的周期，x为所述对准标记的位置。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述预设位置的个数为四个时，所述预设位置分别为以及
技术研发人员：李璟，杨光华，齐月静，陈进新，卢增雄，折昌美，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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