掩膜版和标准片及对准图形误差补偿方法技术

掩膜版和标准片及对准图形误差补偿方法。本发明专利技术公开了一种光刻系统对准图形误差补偿方法，包括利用设计制造掩模版制造两片标准片，将两片标准片分别使用同一组晶圆对准图形的第一掩膜版对准图形和第二掩膜版对准图形沿光刻系统Y方向整体偏移第二预设距离后曝光显影；分别测量第一标准片和第二标准片某个重复区域嵌套的第一嵌套图形和第二嵌套图形之间相对偏移误差，获得第一误差和第二误差；将第一误差和第二误差的差值作为掩膜版对准图形的机台补正参数。本发明专利技术具有通用性、准确性和便利性，很低的成本下能快速准确的获得光刻系统对准误差误补偿量。

Error compensation method for mask, standard film and alignment pattern

【技术实现步骤摘要】
掩膜版和标准片及对准图形误差补偿方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于光刻系统对准图形误差补偿测量的掩模版版图。本专利技术还涉及一种由所述掩模版版图制造用于光刻系统对准图形误差补偿测量的标准片。本专利技术还涉及一种通过所述晶圆对准组对光刻系统对准图形误差进行补偿的方法。
技术介绍
光刻系统(MaskAligner)又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻系统是掩膜对准光刻，所以叫MaskAlignmentSystem。光刻系统的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度，对准精度是半导体生产过程中光刻系统的重要指标。光刻系统的光路系统能通过激光校正，将掩膜版平台和计测平台坐标系进行统一定位。计测平台上的FidicualMark由于破损需要切换至BackupMark后，使用A/B两种十字对准ReticleAlignmentMark的产品，由于激光测量误差，导致产品之间套刻精度将会发生相对偏移。另外，光刻系统激光(L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版，其用于光刻系统对准误差测量，其特征在于：/n该掩膜版上形成有多块的重复区域，所述重复区域彼此之间在光刻系统Y方向上间隔第一预设距离，每块重复区域内沿光刻系统Y方向顺序形成第一嵌套图形、掩膜版对准图形、晶圆对准图形和第二嵌套图形。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其用于光刻系统对准误差测量，其特征在于：
该掩膜版上形成有多块的重复区域，所述重复区域彼此之间在光刻系统Y方向上间隔第一预设距离，每块重复区域内沿光刻系统Y方向顺序形成第一嵌套图形、掩膜版对准图形、晶圆对准图形和第二嵌套图形。


2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：第一预设距离为大于等于100um。


3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：所述第一嵌套图形和第二嵌套图形能形成嵌套。


4.一种利用权利要求1所述掩膜版制造的标准片，其特征在于：由所述掩膜版曝光显影刻蚀去胶形成。


5.一种利用权利要求4所述标准片的光刻系统对准图形误差补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，制造两片所述标准片；
S2，将两片标准片分别使用同一组晶圆对准图形的第一掩膜版对准图形和第二掩膜版对准图形沿光刻系统Y方向整体偏移第二预设距离后曝光显影；
S3，分别测量第一标准片和第二标准片某个重复区域嵌套的第一嵌套图形和第二嵌套图形之间相对偏移误差，获得第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：严峰，王晓龙，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31