一种深紫外增强的SiC肖特基势垒型紫外探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种深紫外增强的SiC肖特基势垒型紫外探测器，包括N型SiC衬底层；在所述N型SiC衬底层正面依次外延的非故意掺杂SiC吸收层和AlN帽层；在整个器件背面设置的N型欧姆接触背电极；在所述AlN帽层上设置的半透明肖特基电极；在所述半透明肖特基电极上设置的Pad电极。本实用新型专利技术结合了AlN材料在深紫外的探测优势和与SiC材料间较小的晶格失配和热失配，采用AlN帽层作为深紫外的吸收层，大大提高SiC紫外探测器在深紫外探测的响应度，该器件具有结构简单、无需刻蚀且与LED工艺相兼容的优点。

A deep UV enhanced SiC Schottky barrier UV detector

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外增强的SiC肖特基势垒型紫外探测器
本技术涉及半导体光电器件
，具体涉及一种深紫外增强的SiC肖特基势垒型紫外探测器。
技术介绍
以SiC、GaN和AlN为代表的宽禁带半导体材料是近年来国内外研究的热点。具有宽禁带、耐高温、高电子饱和漂移速度以及化学稳定性优等显著的材料性能优势。其中SiC材料禁带宽度为3.23eV,是制备可见光盲紫外探测器的优选材料，然而其在深紫外波段响应较弱；而Ⅲ族氮化物体系的AlN材料,其禁带宽度高达6.2eV是深紫外的优选材料，然而采用蓝宝石衬底的AlN材料晶格失配和热失配较大，导致其光谱响应度较低，暗电流较高，且由于蓝宝石的绝缘性只能制作平面结构，通常需要刻蚀，刻蚀会带来二次损伤进一步增加器件的暗电流。SiC材料和AlN材料间具有较小的晶格失配和热失配，SiC上外延AlN可以获得较高的晶体质量。本技术结合两种材料体系的光学特性，发展了一种新型的探测器结构，增强了SiC紫外探测器的深紫外探测效率，有利于紫外光谱分析，且结构简单，适合于批量生产。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外增强的SiC肖特基势垒型紫外探测器，其特征在于：包括/nN型SiC衬底层(101)；/n在所述N型SiC衬底层(101)正面依次外延的非故意掺杂SiC吸收层(102)和AlN帽层(103)；/n在整个器件背面设置的N型欧姆接触背电极(104)；/n在所述AlN帽层(103)上设置的半透明肖特基电极(105)；/n在所述半透明肖特基电极(105)上设置的Pad电极(106)。/n

【技术特征摘要】
1.一种深紫外增强的SiC肖特基势垒型紫外探测器，其特征在于：包括
N型SiC衬底层(101)；
在所述N型SiC衬底层(101)正面依次外延的非故意掺杂SiC吸收层(102)和AlN帽层(103)；
在整个器件背面设置的N型欧姆接触背电极(104)；
在所述AlN帽层(103)上设置的半透明肖特基电极(105)；
在所述半透明肖特基电极(105)上设置的Pad电极(106)。


2.根据权利要求1所述的一种深紫外增强的SiC肖特基势垒型紫外探测器，其特征在于：所述N型SiC衬底层(101)的厚度为350μm，载流子浓度为1×1018cm-3。


3.根据权利要求1所述的一种深紫外增强的SiC肖特基势垒型紫外探测器，其特征在于：所述非故意掺杂SiC吸收...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国锋，周东，渠凯军，
申请(专利权)人：南京紫科光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32