【技术实现步骤摘要】
一种基于金属相MoTe2的宽光谱InGaAs探测器及其制备方法
本专利技术属于光电探测
，具体涉及一种InGaAs探测器及其制备方法。
技术介绍
传统的铟镓砷探测器芯片多为PIN结构的InP/InGaAs/InP材料，该结构的特点使其在近红外波段内拥有良好的光电性能，这使其在军民领域有着广泛的应用价值。因为InGaAs材料的吸收截至波长位于1.7μm附近，这意味着InGaAs材料本身的吸收波段会覆盖波长更短的可见光甚至紫外光，但是由于传统结构上InP衬底和InP帽层的吸收作用，抑制了PINInGaAs探测器对可见光、甚至紫外光的响应，结果导致传统结构的InGaAs探测器无法探测紫外、可见波段的目标，无法获得更多的可见光信息。对于某些需要覆盖可见光和短波红外的应用，需要多个分离的探测器和探测系统进行探测，导致探测系统复杂，系统尺寸和重量较大等缺点。因此一种新型结构宽波段响应的铟镓砷探测器，既能够丰富目标光谱信息，又能够简化多光谱或者宽广谱探测系统，是人们所期待的。
技术实现思路
基于上述提到的问题和发...
【技术保护点】
1.一种基于金属相MoTe
【技术特征摘要】
1.一种基于金属相MoTe2的宽光谱InGaAs探测器及其制备方法，其特征在于具体步骤为：
（1）InP衬底上生长n型InP缓冲层；
（2）在n型InP层上生长本征InGaAs层；
（3）在InGaAs层上淀积SiO2介质层；
（4）选择性刻蚀SiO2介质层形成刻蚀孔；
（5）将二维金属相MoTe2材料转移并覆盖该刻蚀孔；
（6）选择性刻蚀外延材料；
（7）在金属相MoTe2和n型InP上沉积金属电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述的n型InP缓冲层厚度为0.2μm~3μm，掺杂浓度为1×1018cm-3~5×1018cm-3，掺杂元素为硅。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的本征InG...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹高奇，仇志军，丛春晓，陈镜，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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