一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法，属于光电探测器技术领域，本发明专利技术中MSM光电探测器的制备方法为：在衬底基片上制备半导体薄膜；在半导体薄膜上制备形成若干叉指电极；在每一对叉指电极之间沿半导体薄膜纵向方向刻蚀若干周期孔且形成周期性限光结构，每一个周期孔不贯穿半导体薄膜层，得到高速高效率MSM光电探测器。该制备方法通过在每一对电极之间的半导体薄膜中集成周期性陷光结构，使探测器同时具有较大的陷光结构周期和较小的电极间距，在保证MSM光电探测器的响应速率的同时，有效提高探测器的光探测效率，本发明专利技术用于可见光与红外探测与成像技术。

Preparation of MSM photodetector with integrated periodic light limiting structure

【技术实现步骤摘要】
一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法
本专利技术涉及见光与红外探测与成像
，具体涉及一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法。
技术介绍
光电探测器(PhotoDetector，PD)是光电检测系统和光纤通信中光信号转换的关键器件。目前，不断提高的光纤通信系统速率对光电探测器的响应速率提出了越来越高的要求，高速光电探测器成为一个重要的研究课题。金属-半导体-金属光电探测器(Metal-Semiconductor-MetalPhotoDetector)即MSM-PD由于其高响应度、高灵敏度、结构简单、易于集成以及成本低等特点，获得了广泛的关注和应用。MSM光电探测器是指在半导体材料表面制作金属电极形成背靠背肖特基二极管，由光敏层和叉指电极组合形成。叉指电极由半导体表面分立的两组金属条构成，叉指电极的间隔即为光敏面。相比于PIN二极管等其它类型光电探测器，MSM-PD器件主要包含以下几个方面的优点：(1)极低的分布电容。MSM-PD器件实际为两个背靠背二极管，工作时一支正偏，另一只反向偏置，所以器件结电容较小，而且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1：在衬底基片(10)上制备半导体薄膜(20)；/n步骤2：在所述半导体薄膜(20)上制备形成若干叉指电极(30)；/n步骤3：在每一对叉指电极(30)之间沿半导体薄膜(20)纵向方向刻蚀若干周期孔且形成周期性限光结构(40)，每一个周期孔不贯穿半导体薄膜层(20)。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：在衬底基片(10)上制备半导体薄膜(20)；
步骤2：在所述半导体薄膜(20)上制备形成若干叉指电极(30)；
步骤3：在每一对叉指电极(30)之间沿半导体薄膜(20)纵向方向刻蚀若干周期孔且形成周期性限光结构(40)，每一个周期孔不贯穿半导体薄膜层(20)。


2.根据权利要求1所述的一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤1中所述衬底基片(10)为硅、表面制备有二氧化硅层的硅、锗基片中的任意一种。


3.根据权利要求1所述的一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤1中所述半导体薄膜(20)由硅、锗、硫化铅、硒化铅、铟镓砷、碲镉汞中的任意一种制成。


4.根据权利要求3所述的一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，所述半导体薄膜(20)的厚度为0.3～5μm。


5.根据权利要求1所述的一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中每一个所述叉指电极(30)由金、镍、铬、钛、...

【专利技术属性】
技术研发人员：苟君，谢哲远，王军，蒋亚东，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51