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本发明公开了一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法，属于光电探测器技术领域，本发明中MSM光电探测器的制备方法为：在衬底基片上制备半导体薄膜；在半导体薄膜上制备形成若干叉指电极；在每一对叉指电极之间沿半导体薄膜纵向方向刻蚀若干周期...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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