一种基于氧化镓的三维日盲光电探测器制造技术

本发明专利技术的提出了一种基于氧化镓的三维日盲光电探测器，为高性能3D日盲光电探测器的制备和研究奠定基础。本发明专利技术是按照下述步骤进行的：(1)清洗柔性衬底；(2)采用射频磁控溅射技术在柔性衬底上室温沉积a‑Ga

A three-dimensional solar blind Photodetector Based on gallium oxide

【技术实现步骤摘要】
一种基于氧化镓的三维日盲光电探测器
本专利技术属于光电器件制备领域，具体涉及一种基于氧化镓的三维光电探测器及其制备方法。
技术介绍
具有三维(3D)结构的光电探测器作为一种新兴的光电器件，扩展了传统二维(2D)光电探测器的应用范围。3D光电探测器可以实现许多独特的性能，例如极宽的探测空间角度和优异的空间识别能力等，这些都是传统2D光电探测器无法实现的。然而，3D结构的光电子器件往往受限于功能材料本身在生长过程中无法自身形成所需的3D结构。随着柔性电子器件技术的发展，3D光电探测器可以采用剪切/折纸(origami/kirigami)技术制造。然而，功能材料在制备过程中通常需要高温生长，而柔性衬底的最高工作温度为150℃，这就限制了很多材料实现3D探测器的制备。目前为止，只有基于MoS2和钙钛矿的可见光3D光电探测器被报道，关于紫外(UV)光3D光电探测器尚未实现。日盲光电探测器具有低背景噪声和高灵敏度的独特优势，可用于空间通信，火焰探测，导弹制导和臭氧监测等领域。氧化镓(Ga2O3)的禁带宽度在4.4～5.1eV之间，对应的吸收截止波长为240本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于氧化镓的三维日盲光电探测器，其特征在于是按照下述步骤进行的：/n(1)清洗柔性衬底；/n(2)采用射频磁控溅射技术在柔性衬底上室温沉积a-Ga

【技术特征摘要】
1.一种基于氧化镓的三维日盲光电探测器，其特征在于是按照下述步骤进行的：
(1)清洗柔性衬底；
(2)采用射频磁控溅射技术在柔性衬底上室温沉积a-Ga2O3薄膜；
(3)在a-Ga2O3薄膜上利用热蒸发技术在上面蒸发一层金属薄膜；
(4)采用光刻技术在有金属薄膜的a-Ga2O3上制备电极，得到具有MSM结构的2D光电探测器阵列；
(5)采用剪切折叠技术，把2D光电探测器阵列制备成3D光电探测器。


2.根据权利要求1所述的基于氧化镓的三维日盲光电探测器，其特征在于：步骤(1)中的柔性衬底为PET衬底，厚度为0.125毫米。


3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：单崇新，卢英杰，陈彦成，杨珣，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：河南;41