一种窄光谱响应的热电子光电探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种窄光谱响应的热电子光电探测器，包括基底以及依次位于所述基底上的第一一维光子晶体、第一空间层薄膜、第一金属层薄膜、第一半导体层薄膜、第二金属层薄膜、第二空间层薄膜和第二一维光子晶体。所述第一金属层和第二金属层上设有分别设有第一电极和第二电极。通过设置两个一维光子晶体的结构参数，和第一空间层薄膜和第二空间层薄膜的厚度来控制双Tamm耦合模式的波长，进而调控窄带宽光电探测器的吸收率光谱，即可实现对光电探测器响应度、响应波长和带宽的调控和优化，获得窄带光谱响应的热电子光电探测器。本方案制备的窄带宽光电探测器可应用于高波长分辨率的光电探测领域，具有结构简单、操作方便、容易实施的优点。

A thermal electron photodetector with narrow spectral response

【技术实现步骤摘要】
一种窄光谱响应的热电子光电探测器
本技术涉及光电探测
，尤其涉及一种窄光谱响应的热电子光电探测器。
技术介绍
光电探测器能被广泛应用于军事和国民经济的各个领域，是光通信、光信息处理的核心元件之一，因而成为国内外研究的重要课题。传统的基于半导体材料的光电探测器通常受到材料禁带的限制，只能探测能量大于禁带的光子。针对这一问题，研究工作者提出了一种基于金属纳米结构的热电子光电探测器。该类器件利用金属纳米结构的表面等离激元产生大量热电子，这些热电子能够发射到半导体或者隧穿氧化物绝缘体形成光电流，可用于光探测。该类器件的工作波长不受半导体禁带的限制，可用于探测能量低于半导体禁带的可见光和近红外光，因而成为国内外研究的前沿热点课题。在目前研究的各类热电子器件中，金属-绝缘体-金属结构(Metal-Insulator-Metal,MIM)、金属-半导体-金属结构(Metal-Semiconductor-Metal,MSM)具有结构简单、可制成平面结构等优点而成为国内外研究关注的重点之一。目前，研究工作主要集中在设计不同的光学结构，以提高器件的净本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种窄光谱响应的热电子光电探测器，其特征在于，包括基底、以及自下而上依次固定设置在基底上的第一一维光子晶体、第一空间层薄膜、第一金属层薄膜、第一半导体层薄膜、第二金属层薄膜、第二空间层薄膜和第二一维光子晶体；所述的第一金属层薄膜和第二金属层薄膜上设有分别固定设有第一电极和第二电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种窄光谱响应的热电子光电探测器，其特征在于，包括基底、以及自下而上依次固定设置在基底上的第一一维光子晶体、第一空间层薄膜、第一金属层薄膜、第一半导体层薄膜、第二金属层薄膜、第二空间层薄膜和第二一维光子晶体；所述的第一金属层薄膜和第二金属层薄膜上设有分别固定设有第一电极和第二电极。


2.根据权利要求1所述的窄光谱响应的热电子光电探测器，其特征在于，所述第一一维光子晶体和第二一维光子晶体均由薄膜介质周期性排列而成。


3.根据权利要求2所述的窄光谱响应的热电子光电探测器，其特征在于，所述第一一维光子晶体的薄膜介质为TiO2和SiO2，所述第二一维光子晶体的薄膜介质为SiO2和TiO2。


4.根据权利要求2所述的窄光谱响应的热电子光电探测器，其特征在于，所述第一一维光子晶体的周期性排列为10至20个周期，该周期包括一层TiO2薄膜及一层SiO2薄膜，周期的厚度为165.2nm至275.3nm；所述第二一维光子晶体的周期性排列为5至10个周期，该周期包括一...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙拥兵，梁文跃，肖政，钟锦耀，徐海涛，邓海东，陈童，
申请(专利权)人：华南农业大学，
类型：新型
国别省市：广东;44