一种AlGaN/SiC双色紫外探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，包括N型SiC衬底层、N型重掺杂SiC欧姆层、非故意掺杂SiC吸收层、P型SiC欧姆接触层、非故意掺杂AlGaN吸收层、欧姆接触背电极、半透明肖特基电极、第一接触电极、第二接触电极和透明介质钝化层。本实用新型专利技术结合了AlGaN和SiC两种材料体系的优点，基于SiC材料的低的晶格缺陷、高的可见光盲紫外响应度以及与AlGaN材料间较小的晶格失配和热失配，采用AlGaN层作为日盲探测的吸收层和可见光盲探测的滤波层的设计，实现一种器件两种波段的探测，大大提高了探测器对目标物体的分辨能力。该器件的特点是结构简单、制作工艺与目前的LED工艺兼容，且探测波段可变，有利于进行紫外光谱分析。

AlGaN / SiC two-color UV detector

The utility model discloses an AlGaN / SiC two-color ultraviolet detector, which comprises an n-type SiC substrate layer, an n-type heavily doped SiC ohm layer, an unintentionally doped SiC absorption layer, a p-type SiC ohm contact layer, an unintentionally doped AlGaN absorption layer, an ohmic contact back electrode, a translucent Schottky electrode, a first contact electrode, a second contact electrode and a transparent medium passivation layer. The utility model combines the advantages of AlGaN and SiC material systems. Based on the low lattice defect, high visible blind UV response and small lattice mismatch and thermal mismatch between the SiC material and AlGaN material, the utility model adopts AlGaN layer as the absorption layer for blind day detection and the filter layer for blind visible light detection to realize the detection of one device in two wave bands, greatly improving the detection The resolution ability of the detector to the target object. The characteristics of the device are simple structure, compatible manufacturing process with current LED technology, and variable detection band, which is conducive to UV spectrum analysis.

【技术实现步骤摘要】
一种AlGaN/SiC双色紫外探测器
本技术涉及半导体光电器件领域，具体涉及一种AlGaN/SiC双色紫外探测器。
技术介绍
新一代宽禁带半导体材料(禁带宽度>2.5eV)的出现，如：GaN、ZnO、金刚石及SiC等，为高性能紫外探测器的研究和应用开发注入了新的活力。在紫外探测应用领域，宽禁带半导体对紫外光的吸收由其禁带宽度所决定，因而具有天然的频段选择性而不需要加装滤波器，同时宽禁带半导体材料还通常具有导热性能好、电子漂移饱和速度高以及化学稳定性佳等优点，是制作紫外探测器件的理想材料。其中AlGaN材料是目前研究最多，已有相应的商业化应用，其优点在于当Al组分≥0.4时可工作在日盲波段，已有基于AlGaN/GaN的双色紫外探测器报道，然而采用蓝宝石衬底的AlGaN材料晶格失配和热失配较大，导致其光谱响应度较低，暗电流较高，且由于蓝宝石的绝缘性只能制作平面结构，通常开启电压较高。SiC材料因其晶格缺陷密度低，禁带宽度宽，可以满足可见光盲紫外探测器的响应范围，目前已有相应高雪崩增益因子的紫外探测器的报道，然而采用SiC基器件实现日盲本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，其特征在于：包括/nN型SiC衬底层(101)；/n在所述N型SiC衬底层(101)正面依次外延的N型重掺杂SiC欧姆层(102)、非故意掺杂SiC吸收层(103)、P型SiC欧姆接触层(104)和非故意掺杂AlGaN吸收层(105)，所述P型SiC欧姆接触层(104)经刻蚀正面部分裸露；/n在所述N型SiC衬底层(101)背面设置的欧姆接触背电极(106)；/n在所述非故意掺杂AlGaN吸收层(105)上设置的半透明肖特基电极(107)；/n在所述半透明肖特基电极(107)上设置的第一接触电极(109)，在所述P型SiC欧姆接触层(104)裸露部分设...

【技术特征摘要】
1.一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，其特征在于：包括
N型SiC衬底层(101)；
在所述N型SiC衬底层(101)正面依次外延的N型重掺杂SiC欧姆层(102)、非故意掺杂SiC吸收层(103)、P型SiC欧姆接触层(104)和非故意掺杂AlGaN吸收层(105)，所述P型SiC欧姆接触层(104)经刻蚀正面部分裸露；
在所述N型SiC衬底层(101)背面设置的欧姆接触背电极(106)；
在所述非故意掺杂AlGaN吸收层(105)上设置的半透明肖特基电极(107)；
在所述半透明肖特基电极(107)上设置的第一接触电极(109)，在所述P型SiC欧姆接触层(104)裸露部分设置的第二接触电极(110)，所述第一接触电极(109)和第二接触电极(110)上均刻蚀出引线孔；
在所述半透明肖特基电极(107)和P型SiC欧姆接触层(104)正面淀积的透明介质钝化层(108)。


2.根据权利要求1所述的一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，其特征在于：所述半透明肖特基电极(107)为方形或者圆形，其具体为Ni/Au电极、Pt/Au电极或...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢峰，杨国锋，
申请(专利权)人：南京紫科光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32