一种AlGaN/SiC双色紫外探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，包括N型SiC衬底层、N型重掺杂SiC欧姆层、非故意掺杂SiC吸收层、P型SiC欧姆接触层、非故意掺杂AlGaN吸收层、欧姆接触背电极、半透明肖特基电极、第一接触电极、第二接触电极和透明介质钝化层。本发明专利技术结合了AlGaN和SiC两种材料体系的优点，基于SiC材料的低的晶格缺陷、高的可见光盲紫外响应度以及与AlGaN材料间较小的晶格失配和热失配，采用AlGaN层作为日盲探测的吸收层和可见光盲探测的滤波层的设计，实现一种器件两种波段的探测，大大提高了探测器对目标物体的分辨能力。该器件的特点是结构简单、制作工艺与目前的LED工艺兼容，且探测波段可变，有利于进行紫外光谱分析。

【技术实现步骤摘要】
一种AlGaN/SiC双色紫外探测器
本专利技术涉及半导体光电器件领域，具体涉及一种AlGaN/SiC双色紫外探测器。
技术介绍
新一代宽禁带半导体材料(禁带宽度>2.5eV)的出现，如：GaN、ZnO、金刚石及SiC等，为高性能紫外探测器的研究和应用开发注入了新的活力。在紫外探测应用领域，宽禁带半导体对紫外光的吸收由其禁带宽度所决定，因而具有天然的频段选择性而不需要加装滤波器，同时宽禁带半导体材料还通常具有导热性能好、电子漂移饱和速度高以及化学稳定性佳等优点，是制作紫外探测器件的理想材料。其中AlGaN材料是目前研究最多，已有相应的商业化应用，其优点在于当Al组分≥0.4时可工作在日盲波段，已有基于AlGaN/GaN的双色紫外探测器报道，然而采用蓝宝石衬底的AlGaN材料晶格失配和热失配较大，导致其光谱响应度较低，暗电流较高，且由于蓝宝石的绝缘性只能制作平面结构，通常开启电压较高。SiC材料因其晶格缺陷密度低，禁带宽度宽，可以满足可见光盲紫外探测器的响应范围，目前已有相应高雪崩增益因子的紫外探测器的报道，然而采用SiC基器件实现日盲深紫外探测还需加装昂贵的滤波系统。所以单一的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，其特征在于：包括N型SiC衬底层(101)；在所述N型SiC衬底层(101)正面依次外延的N型重掺杂SiC欧姆层(102)、非故意掺杂SiC吸收层(103)、P型SiC欧姆接触层(104)和非故意掺杂AlGaN吸收层(105)，所述P型SiC欧姆接触层(104)经刻蚀正面部分裸露；在所述N型SiC衬底层(101)背面设置的欧姆接触背电极(106)；在所述非故意掺杂AlGaN吸收层(105)上设置的半透明肖特基电极(107)；在所述半透明肖特基电极(107)上设置的第一接触电极(109)，在所述P型SiC欧姆接触层(104)裸露部分设置的第二接触电极(1...

【技术特征摘要】
1.一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，其特征在于：包括N型SiC衬底层(101)；在所述N型SiC衬底层(101)正面依次外延的N型重掺杂SiC欧姆层(102)、非故意掺杂SiC吸收层(103)、P型SiC欧姆接触层(104)和非故意掺杂AlGaN吸收层(105)，所述P型SiC欧姆接触层(104)经刻蚀正面部分裸露；在所述N型SiC衬底层(101)背面设置的欧姆接触背电极(106)；在所述非故意掺杂AlGaN吸收层(105)上设置的半透明肖特基电极(107)；在所述半透明肖特基电极(107)上设置的第一接触电极(109)，在所述P型SiC欧姆接触层(104)裸露部分设置的第二接触电极(110)，所述第一接触电极(109)和第二接触电极(110)上均刻蚀出引线孔；在所述半透明肖特基电极(107)和P型SiC欧姆接触层(104)正面淀积的透明介质钝化层(108)。2.根据权利要求1所述的一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，其特征在于：所述非故意掺杂AlGaN吸收层(105)的Al组分≥0.4。3.根据权利要求1所述的一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，其特征在于：所述半透明肖特基电极(107)为方形或者圆形，其材料为Ni/Au、Pt/Au或者石墨烯。4.根据权利要求1所述的一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，其特征在于：所述透明介质钝化层(108)为SiO2层。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢峰，杨国锋，
申请(专利权)人：南京紫科光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32