The invention discloses a novel heterojunction photonic infrared detector and its preparation method and application. The detector consists of two electrode layers located on both sides of the substrate layer, heterojunction layer and upper layer. The heterojunction layer is composed of PbTe (SnTe)/CdTe, PbTe (SnTe)/ZnTe or PbSe (Sn)/CdSe, PbSe (Sn)/ZnSe heterojunction materials composed of IV_VI/II_VI compound semiconductors. \u3002 The present invention is based on two-dimensional electronic gas structure material of heterojunction interface such as PbTe/CdTe, and fabricates a photonic infrared detector with FET structure. The photoresponse of the detector comes from the intrinsic response of PbTe, i.e. the spectral response band is 1.2-4.0 um. Thanks to the high mobility of the two-dimensional electron gas, the response time of the detector is shorter than 1 s. The detector has a high detection rate, reaching 3 x 10 at 2 um.
【技术实现步骤摘要】
一种新型异质结光子型红外探测器及制备方法及应用
本专利技术专利涉及一种新型的异质结光子型红外探测器及制备方法及应用。
技术介绍
近年来，随着民用、军事与航空航天等领域对红外探测技术逐步深入的应用，对其器件性能的要求也越来越高。红外探测器是将入射的特定波长的红外辐射信号转变成电信号从而实现探测目的的器件，红外光子探测器的工作机理主要基于半导体对红外辐射的吸收及伴随的各种光电效应，如光电导效应和光生伏特效应等。对于非掺杂的半导体，其有响应的电磁波所对应的能量应不低于该半导体的带隙，基于这种半导体制备的红外探测器叫做红外本征探测器。这种探测器的探测波段取决于其带隙大小。我们曾专利技术一种PbTe/CdTe异质结界面二维电子气结构(专利号：CN103413827A)，该结构在界面附近有较高的面电子浓度(～1×1013cm-2)和较高的迁移率(～900cm2/Vs，室温)。这些优异的材料特性无疑是红外探测技术所追求的，它们对提升红外探测器的探测率和响应时间等方面具有重要的意义。对于室温工作的红外探测器，需要解决的最大难题就是降噪问题。一般来讲，室温时由于窄带隙半导体的热激发...
【技术保护点】
1.一种新型的异质结光子型红外探测器，其特征在于，所述的探测器包括从下到上的基底层、异质结层和最上层位于两侧的两个电极层。
【技术特征摘要】
1.一种新型的异质结光子型红外探测器，其特征在于，所述的探测器包括从下到上的基底层、异质结层和最上层位于两侧的两个电极层。2.根据权利要求1所述的新型的异质结光子型红外探测器，其特征在于，所述的异质结层是由IV-VI/II-VI族化合物半导体构成的PbTe(SnTe)/CdTe、PbTe(SnTe)/ZnTe或PbSe(SnSe)/CdSe、PbSe(SnSe)/ZnSe异质结材料研制的。3.根据权利要求2所述的新型的异质结光子型红外探测器，其特征在于，所述的PbTe或SnTe或PbSe厚度大于3微米，CdTe或ZnTe或CdSe或ZnSe薄膜厚度小于1微米。4.根据权利要求1或2或3所述的新型的异质结光子型红外探测器，其特征在于，所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴惠桢，朱家旗，徐翰纶，马嵩松，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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