温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，包括N型SiC衬底层、N型重掺杂SiC欧姆层、非故意掺杂SiC吸收层、P型SiC欧姆接触层、非故意掺杂AlGaN吸收层、欧姆接触背电极、半透明肖特基电极、第一接触电极、第二接触电极和透明介质...
该专利属于南京紫科光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京紫科光电科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。