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本实用新型公开了一种深紫外增强的SiC肖特基势垒型紫外探测器，包括N型SiC衬底层；在所述N型SiC衬底层正面依次外延的非故意掺杂SiC吸收层和AlN帽层；在整个器件背面设置的N型欧姆接触背电极；在所述AlN帽层上设置的半透明肖特基电极；在...
该专利属于南京紫科光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京紫科光电科技有限公司授权不得商用。

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