【技术实现步骤摘要】
包括贯穿布线区域的半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0091300和于2018年9月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0108144的权益和优先权，这些申请的公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术构思涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种具有贯穿布线区域的半导体器件。
技术介绍
半导体器件已经被设计成更小的尺寸并且具有更高的处理数据的能力。例如，在半导体存储器件的情况下，为了实现更高的集成度，已经减小了存储单元的大小。在这些器件中，所包括的操作电路的布置结构和/或布线结构变得更加复杂。
技术实现思路
一种半导体器件包括设置在第一衬底上并且具有一个或更多个电路器件的外围电路区域。存储单元区域设置在第二衬底上并且包括多个存储单元。贯穿布线区域包括贯穿接触插塞和绝缘区域。所述贯穿接触插塞沿与所述第二衬底的顶表面垂直的第一方向延伸穿过所述存储单元区域和所述第二衬底，并将所述存储单元区域电...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n外围电路区域，所述外围电路区域设置在第一衬底上并且包括一个或更多个电路器件；/n存储单元区域，所述存储单元区域设置在第二衬底上并且包括多个存储单元；以及/n贯穿布线区域，所述贯穿布线区域包括贯穿接触插塞和至少部分地围绕所述贯穿接触插塞的绝缘区域，所述贯穿接触插塞沿与所述第二衬底的顶表面垂直的第一方向延伸穿过所述存储单元区域和所述第二衬底，并将所述存储单元区域电连接到所述电路器件，/n其中，所述绝缘区域包括：穿透所述第二衬底并与所述第二衬底并排设置的第一绝缘层；沿所述第一方向延伸的多个第二绝缘层；以及具有竖直延伸部分和多个水平延伸部...
【技术特征摘要】
20180806 KR 10-2018-0091300;20180911 KR 10-2018-011.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
外围电路区域，所述外围电路区域设置在第一衬底上并且包括一个或更多个电路器件；
存储单元区域，所述存储单元区域设置在第二衬底上并且包括多个存储单元；以及
贯穿布线区域，所述贯穿布线区域包括贯穿接触插塞和至少部分地围绕所述贯穿接触插塞的绝缘区域，所述贯穿接触插塞沿与所述第二衬底的顶表面垂直的第一方向延伸穿过所述存储单元区域和所述第二衬底，并将所述存储单元区域电连接到所述电路器件，
其中，所述绝缘区域包括：穿透所述第二衬底并与所述第二衬底并排设置的第一绝缘层；沿所述第一方向延伸的多个第二绝缘层；以及具有竖直延伸部分和多个水平延伸部分的第三绝缘层，所述竖直延伸部分设置在所述第二绝缘层之间并沿所述第一方向延伸，所述多个水平延伸部分沿与所述第二衬底的所述顶表面平行的第二方向从所述竖直延伸部分的侧表面延伸以接触所述第二绝缘层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，至少一部分所述第二绝缘层穿透所述第一绝缘层的至少一部分，并且其他所述第二绝缘层在所述第一绝缘层周围设置在所述第二衬底上。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，其他所述第二绝缘层在所述第一绝缘层周围设置在所述第二衬底上，使得所述第二衬底的所述顶表面具有凹陷。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三绝缘层的所述竖直延伸部分是以相等的间隔设置的多个竖直延伸部分中的一个竖直延伸部分，并且所述多个竖直延伸部分均设置在所述第二绝缘层之间。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述半导体器件的俯视图中，所述第二绝缘层具有圆形形状或椭圆形形状。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述半导体器件的俯视图中，所述第三绝缘层的所述竖直延伸部分的至少一部分具有线形形状。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述存储单元区域包括彼此间隔开的并且竖直地堆叠在所述第二衬底上的多个栅电极、与所述栅电极交替堆叠的层间绝缘层、以及穿透所述栅电极并在所述第二衬底上竖直地延伸的沟道，并且
其中，所述第三绝缘层的每个所述水平延伸部分与所述栅电极位于相同的水平高度。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述绝缘区域还包括至少部分地填充所述第一绝缘层至第三绝缘层之间的空间的第四绝缘层，
其中，所述第四绝缘层形成在与所述层间绝缘层相同的水平高度。
9.根...
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