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提供了一种包括贯穿布线区域的半导体器件，所述半导体器件包括设置在第一衬底上并且包括电路器件的外围电路区域。存储单元区域设置在第二衬底上并且包括存储单元。贯穿布线区域包括贯穿接触插塞和绝缘区域。所述贯穿接触插塞延伸穿过所述存储单元区域和所述第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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