一种图像传感芯片的封装结构以及图像传感器制造技术

本发明专利技术提供一种图像传感芯片的封装结构，所述封装结构包括图像传感芯片的晶片，所述晶片上表面形成一个主动式像素阵列区域，在所述主动式像素阵列区域内划分形成多个主动式像素单元；所述晶片上覆盖一封装玻片，所述封装玻片的厚度，小于/等于所述封装玻片侧壁与主动式像素阵列区域最近边缘的距离。本发明专利技术提供的一种图像传感芯片的封装结构以及图像传感器，无需减小色彩滤光矩阵的偏移距离，在满足边缘像素单元的色彩滤光的情况下，无需牺牲晶片面积，在不增加成本的基础上，能够有效消除CMOS图像传感器在CSP封装下的图像边缘发亮发粉现象。

Packaging structure of image sensor chip and image sensor

【技术实现步骤摘要】
一种图像传感芯片的封装结构以及图像传感器
本专利技术涉及图像传感器
，特别涉及一种图像传感芯片的封装结构以及图像传感器。
技术介绍
CMOS图像传感器相比CCD图像传感器，具有与CMOS工艺兼容，成本低，功耗低等优点。广泛应用在手机，监控，机器视觉等领域。在芯片上通过像素单元进行光电转换，如图1所示像素单元的结构示意图。像素单元的基本结构为：使用光电二极管(PD，photodiode)103作为光电转换器，在p型衬底中掺杂磷形成N阱，形成PN结PD，光子射入PD，产生电子空穴对，电子空穴对在pn结耗尽区由于电场作用分离，电子经过栅控通道传输至FD，电子积累导致电压下降，随后经过源极跟随器，将电压信号输出。考虑到在PD中将光子转化为电子的过程中并不能区分不同能量的电子，PD也因此没有区分不同波长光的能力，为了重建彩色画面，需要确定三种基本色光，红，绿，蓝的成分比例。为了实现这一点，通用的做法是色彩还原方法，在每一个像素单元的光电二极管PD103和显微镜头(microlens)101之间加入局部间隔、整体重复的色彩滤光(colorfi本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括图像传感芯片的晶片；/n所述晶片上表面形成一个主动式像素阵列区域，在所述主动式像素阵列区域内划分形成多个主动式像素单元；/n所述晶片上覆盖一封装玻片，所述封装玻片的厚度，小于/等于所述封装玻片侧壁与主动式像素阵列区域最近边缘的距离。/n

【技术特征摘要】
1.一种图像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括图像传感芯片的晶片；
所述晶片上表面形成一个主动式像素阵列区域，在所述主动式像素阵列区域内划分形成多个主动式像素单元；
所述晶片上覆盖一封装玻片，所述封装玻片的厚度，小于/等于所述封装玻片侧壁与主动式像素阵列区域最近边缘的距离。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装玻片玻片的厚度为300um。


3.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，所述封装玻片与主动式像素阵列区域最近边缘的距离，在300um至420um之间。


4.一种图像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括图像传感芯片的晶片；
所述晶片上表面形成一个主动式像素阵列区域，在所述主动式像素阵列区域内划分形成多个主动式像素单元；
所述晶片上覆盖一封装玻片，在所述封装玻片上表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：林孝康，刘芃宇，
申请(专利权)人：重庆高开清芯科技产业发展有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50