【技术实现步骤摘要】
摄像装置和电子设备本申请是申请日为2014年9月19日、专利技术名称为“图像拾取元件、制造图像拾取元件的方法以及电子设备”的申请号为201410481987.3的专利申请的分案申请。
本公开涉及具有位于半导体基板上的固定电荷膜的图像拾取元件、制造这种图像拾取元件的方法、以及包括这种图像拾取元件的电子设备。
技术介绍
在固态图像拾取装置(图像拾取装置)，例如电荷耦合装置(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器中，为每个像素设置包括光电转换部的固态图像拾取元件(图像拾取元件)。图像拾取元件的光电转换部例如由诸如硅(Si)的半导体材料构成。在光电转换部的表面上，由于晶体结构的破坏存在晶体缺陷和悬空键。由于光电转换部中产生的电子-空穴对复合，晶体缺陷和悬空键导致消光(extinction)，或者导致暗电流的产生。例如，国际公开No.WO2012/117931讨论了一种背照式固态图像拾取装置。在该固态图像拾取装置中，为了抑制暗电流的产生，在硅基板的光接收表面(后表面)上形成具有负固定电荷的绝缘膜...
【技术保护点】
1.一种摄像装置，包括：/n第一光电转换区，位于基板中；/n第二光电转换区，在所述基板中邻近于所述第一光电转换区；/n沟槽，位于所述第一光电转换区和所述第二光电转换区之间；/n第一膜，包括位于所述沟槽中的氧化硅且直接接触所述沟槽的壁表面；/n第二膜，包括位于所述沟槽中的氧化铝且在所述第一膜上方；/n第三膜，包括位于所述沟槽中的氧化铪且在所述第二膜上方；/n第四膜，包括位于所述沟槽中的氧化钽且在所述第三膜上方。/n
【技术特征摘要】
20130927 JP 2013-2021231.一种摄像装置，包括：
第一光电转换区，位于基板中；
第二光电转换区，在所述基板中邻近于所述第一光电转换区；
沟槽，位于所述第一光电转换区和所述第二光电转换区之间；
第一膜，包括位于所述沟槽中的氧化硅且直接接触所述沟槽的壁表面；
第二膜，包括位于所述沟槽中的氧化铝且在所述第一膜上方；
第三膜，包括位于所述沟槽中的氧化铪且在所述第二膜上方；
第四膜，包括位于所述沟槽中的氧化钽且在所述第三膜上方。
2.根据权利要求1所述的摄像装置，还包括第五膜，所述第五膜包括位于所述沟槽中的氧化硅且在所述第四膜上方。
3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第一膜还位于所述基板的光接收表面上方。
4.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，所述第二膜位于所述基板的所述光接收表面上方。
5.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，所述第三膜位于所述基板的所述光接收表面上方。
6.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，所述第四膜位于所述基板的所述光接收表面上方。
7.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，在所述第四膜上方还设置有第五膜，并且其中，所述第五膜位于所述基板的所述光接收表面上方。
8.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第四膜具有位于所述基板的光接收表面上方的第一厚度和位于所述沟槽中的第二厚度，其中，
所述第一厚度大...
【专利技术属性】
技术研发人员：万田周治，桧山晋，志贺康幸，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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