【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置和电子设备
本技术涉及摄像装置和电子设备，更特别地涉及能够减少在元件隔离区域的底部产生的暗电流的摄像装置和电子设备。
技术介绍
通常，使用其中光电二极管和读出操作所需的晶体管组位于同一平面中的结构作为CMOS图像传感器的像素结构。然而，在这种情况下，随着像素变小，光电二极管的面积比(arearatio)降低。因此，难以确保处理的电荷量。为了增加处理的电荷量，必须增强光电二极管的PN结的电场或扩大结面积。增强结电场会导致由晶体缺陷、金属杂质等引起的暗漏(darkleakage)增加，即，白点缺陷。白点缺陷会随着电场的增长以指数方式变化。因此，在增强电场方面存在限制。此外，随着结面积增加，恒定的暗漏(即暗电流)随面积的增加而增大。在这种情况下，能够减弱电场。因此，能够减少白点缺陷。由于在最近的图像传感器工艺中能够充分降低暗电流，因此减少白点缺陷的能力更有利。在这种情况下，例如，专利文献1提出了如下结构：其中，在像素边界处形成深沟槽，并在深沟槽的侧壁中形成高浓度的P型层，使得容易产生电场。利...
【技术保护点】
1.一种摄像装置，包括：/n多个像素晶体管，其位于半导体基板的表面处；/n元件隔离区域，其用于将所述多个像素晶体管彼此隔离；/n电荷存储区域，其位于所述半导体基板中比所述基板表面更深的位置处；以及/n电荷放电层，其具有与所述电荷存储区域相同的导电类型，其中，所述电荷放电层布置在所述元件隔离区域与所述电荷存储区域之间。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170619 JP 2017-1192511.一种摄像装置，包括：
多个像素晶体管，其位于半导体基板的表面处；
元件隔离区域，其用于将所述多个像素晶体管彼此隔离；
电荷存储区域，其位于所述半导体基板中比所述基板表面更深的位置处；以及
电荷放电层，其具有与所述电荷存储区域相同的导电类型，其中，所述电荷放电层布置在所述元件隔离区域与所述电荷存储区域之间。
2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述电荷放电层布置在所述元件隔离区域下方。
3.根据权利要求1或2所述的摄像装置，其中，所述电荷放电层位于所述元件隔离区域和所述电荷存储区域之间的阱区域中。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的摄像装置，其中，所述电荷放电层位于所述电荷存储区域与所述多个像素晶体管之中的不是传输晶体管的至少一个像素晶体管之间。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的摄像装置，其中，所述电荷放电层包括开口，并且所述多个像素晶体管之中的传输晶体管的栅电极延伸通过所述开口进入所述电荷存储区域。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的摄像装置，其中，所述电荷放电层连接到具有与所述电荷存储区域相同的导电类型的杂质区域，其中，所述杂质区域位于所述基板表面处。
7.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，所述杂质区域与所述多个像素晶体管的源极区域和漏极区域分离。
8.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，所述杂质区域是所述多个像素晶体管之中的复位晶体管的漏极区域。
9.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，所述杂质区域是所述多个像素晶体管之中的放大晶体管的漏极区域。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的摄像装置，其中，所述杂质区域接收预定电压。
11.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，所述杂质区域位于所述多个像素晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员：工藤义治，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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