具有高透射率的窄带滤波器制造技术

本申请的各个实施例涉及一种具有高透射率的窄带滤波器和包括窄带滤波器的图像传感器。在一些实施例中，滤波器包括第一分布式布拉格反射器(DBR)、第二DBR、位于第一和第二DBR之间的缺陷层、以及多个柱状结构。柱状结构延伸穿过缺陷层并具有与缺陷层的折射率不同的折射率。第一和第二DBR限定低透射带，并且缺陷层限定划分低透射带的高透射带。柱状结构将高透射带移向更低或更高的波长，这取决于柱状结构的折射率和柱状结构的填充因子。本发明专利技术实施例涉及具有高透射率的窄带滤波器。

Narrow band filter with high transmittance

【技术实现步骤摘要】
具有高透射率的窄带滤波器
本专利技术实施例涉及具有高透射率的窄带滤波器。
技术介绍
许多器件包括用于感测入射辐射的光电探测器。例如，互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器可以包括光电探测器阵列，以将光学图像转换为表示光学图像的数字数据。然而，光电探测器通常几乎没有能力区分不同波长(或颜色)的辐射。因此，滤波器可以与光电探测器配对，以允许光电探测器感测特定波长的辐射。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种图像传感器，包括：衬底；光电探测器，位于所述衬底中；以及滤波器，位于所述光电探测器上方，并且包括：第一分布式布拉格反射器(DBR)；第二分布式布拉格反射器；缺陷层，位于所述第一分布式布拉格反射器和所述第二分布式布拉格反射器之间；以及多个柱状结构，延伸穿过所述缺陷层，其中，所述柱状结构呈周期性图案并且具有与所述缺陷层的折射率不同的折射率。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种形成图像传感器的方法，所述方法包括：在衬底中形成光电探测器；在所述衬底上沉积第一多层膜，其中，所述第一多层膜包括多个第一层和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：/n衬底；/n光电探测器，位于所述衬底中；以及/n滤波器，位于所述光电探测器上方，并且包括：/n第一分布式布拉格反射器(DBR)；/n第二分布式布拉格反射器；/n缺陷层，位于所述第一分布式布拉格反射器和所述第二分布式布拉格反射器之间；以及/n多个柱状结构，延伸穿过所述缺陷层，其中，所述柱状结构呈周期性图案并且具有与所述缺陷层的折射率不同的折射率。/n

【技术特征摘要】
20180730 US 62/711,772;20181010 US 16/156,0611.一种图像传感器，包括：
衬底；
光电探测器，位于所述衬底中；以及
滤波器，位于所述光电探测器上方，并且包括：
第一分布式布拉格反射器(DBR)；
第二分布式布拉格反射器；
缺陷层，位于所述第一分布式布拉格反射器和所述第二分布式布拉格反射器之间；以及
多个柱状结构，延伸穿过所述缺陷层，其中，所述柱状结构呈周期性图案并且具有与所述缺陷层的折射率不同的折射率。


2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述柱状结构的顶面与所述缺陷层的顶面平齐，并且其中，所述柱结构的底面与所述缺陷层的底面齐平。


3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述柱状结构延伸穿过所述第一分布式布拉格反射器和所述第二分布式布拉格反射器以及所述缺陷层。


4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一分布式布拉格反射器或所述第二分布式布拉格反射器包括多个第一层和多个第二层，其中，所述第二层与所述第一层交替堆叠，并且其中，所述缺陷层的折射率不同于所述第一层和所述第二层的相应折射率。


5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一分布式布拉格反射器和所述第二分布式布拉格反射器均包括多个第一层和多个第二层，其中，所述第二层与所述第一层交替堆叠，其中，所述缺陷层和所述第一层具有相同的折射率，其中，所述缺陷层直接接触来自所述第一分布式布拉格反射器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄正宇，庄君豪，曾建贤，桥本一明，周耕宇，江伟杰，吴纹浩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71