在用于路由的第一金属层中采用金属线的互补金氧半导体(MOS)(CMOS)标准单元电路及其相关方法技术

本发明专利技术公开在用于路由的第一金属层中采用金属线的互补金氧半导体MOS CMOS标准单元电路及其相关方法。在一个方面中，一种CMOS标准单元电路包含安置于所述第一金属层中的第一供应轨、第二供应轨及金属线。所述金属线中的一或多者被对应于所述CMOS标准单元的第一单元边界及第二单元边界动态地切割，使得所述金属线具有对应于所述第一单元边界及所述第二单元边界的切割边缘。未对应于所述第一单元边界及所述第二单元边界被切割的金属线可用于互连所述CMOS标准单元电路的节点。动态地切割所述金属线允许所述第一金属层被用于路由，以减小其它金属层中的路由，使得较少通孔及金属线被安置于所述第一金属层上方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在用于路由的第一金属层中采用金属线的互补金氧半导体(MOS)(CMOS)标准单元电路及其相关方法优先权申请本申请案要求2017年4月13日申请的且标题为“在用于路由的第一金属层中采用金属线的互补金氧半导体标准单元电路及其相关方法(COMPLEMENTARYMETALOXIDESEMICONDUCTOR(MOS)(CMOS)STANDARDCELLCIRCUITSEMPLOYINGMETALLINESINAFIRSTMETALLAYERUSEDFORROUTING,ANDRELATEDMETHODS)”的美国专利申请案第15/487,222号的优先权，所述专利申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开的技术大体上涉及互补金氧半导体(metaloxidesemiconductor，MOS)(complementarymetaloxidesemiconductor，CMOS)标准单元电路，且更具体地说，涉及具有增加的性能及减小的功率消耗的CMOS标准单元电路的制造。
技术介绍
基于处理器的计算机系统可包含大量的集成电路(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种互补金氧半导体MOS CMOS标准单元，其包括：/n在第一金属层中在一方向上安置的第一供应轨；/n在所述第一金属层中在所述方向上安置的第二供应轨；及/n在所述第一金属层中在所述方向上安置的多个金属线，其中：/n所述多个金属线的每一金属线对应于多个轨道中的轨道；/n所述多个金属线的一或多个金属线具有对应于所述CMOS标准单元中的第一单元边界的切割边缘；/n所述多个金属线的一或多个金属线具有对应于所述CMOS标准单元的第二单元边界的切割边缘，其中所述第二单元边界在所述CMOS标准单元相较于所述第一单元边界的相对的一侧上；且/n所述多个金属线的一或多个金属线具有对应于所述第一单元边界及所述第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170413 US 15/487,2221.一种互补金氧半导体MOSCMOS标准单元，其包括：
在第一金属层中在一方向上安置的第一供应轨；
在所述第一金属层中在所述方向上安置的第二供应轨；及
在所述第一金属层中在所述方向上安置的多个金属线，其中：
所述多个金属线的每一金属线对应于多个轨道中的轨道；
所述多个金属线的一或多个金属线具有对应于所述CMOS标准单元中的第一单元边界的切割边缘；
所述多个金属线的一或多个金属线具有对应于所述CMOS标准单元的第二单元边界的切割边缘，其中所述第二单元边界在所述CMOS标准单元相较于所述第一单元边界的相对的一侧上；且
所述多个金属线的一或多个金属线具有对应于所述第一单元边界及所述第二单元边界中的至少一者的未切割边缘。


2.根据权利要求1所述的CMOS标准单元，其进一步包括在第二金属层中且在与所述方向大体上正交的第二方向上安置的一或多个金属线。


3.根据权利要求2所述的CMOS标准单元，其进一步包括安置于所述第一金属层与所述第二金属层之间的一或多个竖直互连接入(通孔)，其中所述一或多个通孔电耦合所述第二金属层中的一或多个金属线及所述第一金属层中的一或多个金属线。


4.根据权利要求3所述的CMOS标准单元，其中：
所述第一金属层包括金属零层(M0)；
所述第二金属层包括安置于所述第一金属层上方的金属一层(M1)；且
所述一或多个通孔包括一或多个零层级通孔(V0)。


5.根据权利要求1所述的CMOS标准单元，其中所述第一金属层中的所述多个金属线被安置于所述第一供应轨与所述第二供应轨之间。


6.根据权利要求1所述的CMOS标准单元，其中：
所述第一供应轨被安置于所述第一金属层中的所述多个金属线的一或多个金属线之间；且
所述第二供应轨被安置于所述第一金属层中的所述多个金属线的一或多个金属线之间。


7.根据权利要求1所述的CMOS标准单元，其经集成到集成电路IC中。


8.根据权利要求1所述的CMOS标准单元，其集成到选自由以下各者组成的群组的装置中：机顶盒；娱乐单元；导航装置；通信装置；固定位置数据单元；移动位置数据单元；全球定位系统GPS装置；移动电话；蜂窝蜂窝式电话；智能型手机；会话起始协议SIP电话；平板计算机；平板手机；服务器；计算机；便携式计算机；移动计算装置；可穿戴式计算装置；台式计算机；个人数字助理PDA；监视器；计算机监视器；电视；调谐器；无线电；卫星无线电；音乐播放器；数字音乐播放器；便携式音乐播放器；数字视频播放器；视频播放器；数字影碟DVD播放器；便携式数字视频播放器；汽车；车辆组件；航空电子系统；无人机及多轴直升机。


9.一种互补金氧半导体MOSCMOS标准单元电路，其包括：
多个CMOS标准单元，每个CMOS标准单元包括：
在第一金属层中在一方向上安置的第一供应轨；
在所述第一金属层中在所述方向上安置的第二供应轨；及
在所述第一金属层中在所述方向上安置的多个金属线，其中：
所述多个金属线的每一金属线对应于多个轨道中的轨道；
所述多个金属线的一或多个金属线具有对应于对应CMOS标准单元的第一单元边界的切割边缘；
所述多个金属线的一或多个金属线具有对应于所述对应CMOS标准单元的第二单元边界的切割边缘，其中所述第二单元边界在所述对应CMOS标准单元相较于所述第一单元边界的相对的一侧上；且
所述多个金属线的一或多个金属线具有对应于所述第一单元边界及所述第二单元边界中的至少一者的未切割边缘；
其中：
所述多个CMOS标准单元的一或多个CMOS标准单元被安置为使得所述一或多个CMOS标准单元的所述第二单元边界大体上邻接于一或多个其它CMOS标准单元的第一单元边界；且
两个或多于两个CMOS标准单元的一或多个金属线形成跨越所述两个或多于两个CMOS标准单元的对应轨道的单个连续金属线。


10.根据权利要求9所述的CMOS标准单元电路，其中所述多个CMOS标准单元的一或多个CMOS标准单元进一步包括在第二金属层中且在大体上与所述方向正交的第二方向上安置的一或多个金属线。


11.根据权利要求10所述的CMOS标准单元电路，其中所述多个CMOS标准单元的一或多个CMOS标准单元进一步包括安置于所述第一金属层与所述第二金属层之间的一或多个竖直互连接入(通孔)，其中所述一或多个通孔电耦合所述第二金属层中的一或多个金属线及所述第一金属层中的一或多个金属线。


12.根据权利要求11所述的CMOS标准单元电路，其中：
所述第一金属层包括金属零层(M0)；
所述第二金属层包括安置于所述第一金属层上方的金属一层(M1)；且
所述一或多个通孔包括一或多个零层级通孔(V0)。


13.根据权利要求9所述的CMOS标准单元电路，其中每一CMOS标准单元的所述第一金属层中的所述多个金属线被安置于所述第一供应轨与所述第二供应轨之间。


14.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·小科雷亚莱，W·古多尔三世，P·M·伊莱什，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US