温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开在用于路由的第一金属层中采用金属线的互补金氧半导体MOS CMOS标准单元电路及其相关方法。在一个方面中，一种CMOS标准单元电路包含安置于所述第一金属层中的第一供应轨、第二供应轨及金属线。所述金属线中的一或多者被对应于所述CMO...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。