一种感光器件及其驱动方法技术

本发明专利技术揭示一种感光器件及其驱动方法。所述感光器件包括：SOI衬底，包括：基底层；和半导体层，设置于基底层一侧表面，所述半导体层至少包括器件区；第一栅极层，设置于半导体层上与基底层相对的一侧表面；第二栅极层，设置于基底层上与半导体层相对的一侧表面；第一过孔，沿第一方向设置于器件区的两侧，所述第一过孔贯穿基底层和半导体层；第一导电层，填充于所述第一过孔内，与所述第二栅极层电连接；第二过孔，沿第二方向设置于所述器件区的两侧，所述第二过孔贯穿所述半导体层；第二导电层，填充于所述第二过孔内；第一栅介质层，设置于所述第一栅极层与所述器件区之间；第二栅介质层，设置于所述第一导电层与所述器件区之间。

A photosensitive device and its driving method

【技术实现步骤摘要】
一种感光器件及其驱动方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种感光器件及其驱动方法。
技术介绍
传统CMOS图像传感器(CIS)器件利用PN结来实现感光，通过像元内控制管部分来实现读取。但CMOS图像传感器中，PN结结构容易受到各类机制的暗电流影响，包括接触式传感器件(STI)、读取控制的MOS管的PN结等等；同时，由于背面入射等业界主流技术方案会引起产品的工艺复杂性增加，导致成本上升。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种感光器件及其驱动方法。该感光器件可以提高光至载流子密度，并提高器件的性能。根据本专利技术的一个方面提供一种感光器件。所述感光器件包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括：基底层；和半导体层，设置于所述基底层一侧表面，所述半导体层至少包括器件区；第一栅极层，设置于所述半导体层上与所述基底层相对的一侧表面；第二栅极层，设置于所述基底层上与所述半导体层相对的一侧表面；第一过孔，沿第一方向设置于所述器件区的两侧，所述第一过孔贯穿所述基底层和所述半导体层；第一导电层，所述第一导电层填本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种感光器件，其特征在于，所述感光器件包括：/nSOI衬底，所述SOI衬底包括：/n基底层；和/n半导体层，设置于所述基底层一侧表面，所述半导体层至少包括器件区；/n第一栅极层，设置于所述半导体层上与所述基底层相对的一侧表面；/n第二栅极层，设置于所述基底层上与所述半导体层相对的一侧表面；/n第一过孔，沿第一方向设置于所述器件区的两侧，所述第一过孔贯穿所述基底层和所述半导体层；/n第一导电层，所述第一导电层填充于所述第一过孔内，与所述第二栅极层电连接；/n第二过孔，沿第二方向设置于所述器件区的两侧，所述第二过孔贯穿所述半导体层；/n第二导电层，所述第二导电层填充于所述第二过孔内；/n第一栅...

【技术特征摘要】
1.一种感光器件，其特征在于，所述感光器件包括：
SOI衬底，所述SOI衬底包括：
基底层；和
半导体层，设置于所述基底层一侧表面，所述半导体层至少包括器件区；
第一栅极层，设置于所述半导体层上与所述基底层相对的一侧表面；
第二栅极层，设置于所述基底层上与所述半导体层相对的一侧表面；
第一过孔，沿第一方向设置于所述器件区的两侧，所述第一过孔贯穿所述基底层和所述半导体层；
第一导电层，所述第一导电层填充于所述第一过孔内，与所述第二栅极层电连接；
第二过孔，沿第二方向设置于所述器件区的两侧，所述第二过孔贯穿所述半导体层；
第二导电层，所述第二导电层填充于所述第二过孔内；
第一栅介质层，设置于所述第一栅极层与所述器件区之间；
第二栅介质层，设置于所述第一导电层与所述器件区之间。


2.如权利要求1所述的感光器件，其特征在于，所述第二栅介质层由所述半导体层延伸至所述第一栅介质层，其中，所述第二栅介质层的延伸方向上，靠近所述第一栅介质层的一端的厚度大于靠近所述第二栅极层一端的厚度。


3.如权利要求2所述的感光器件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31