半导体封装件及制造该半导体封装件的方法技术

一种半导体封装件包括：封装件衬底；至少一个半导体芯片，其安装在封装件衬底上；以及模制构件，其围绕所述至少一个半导体芯片。模制构件包括填料。填料中的每一个包括芯和围绕芯的涂层。芯包括非电磁材料，并且涂层包括电磁材料。模制构件包括分别具有填料的不同分布的区域。

Semiconductor package and method for manufacturing the semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及制造该半导体封装件的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0090056的权益，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
本专利技术构思涉及一种半导体封装件及制造该半导体封装件的方法，并且更具体地说，涉及一种包括围绕半导体芯片的模制构件的半导体封装件及制造该半导体封装件的方法。
技术介绍
如今，随着电子产品市场对便携式装置的需求迅速增长，对电子产品上安装的电子部件的小尺寸、轻重量的要求也不断提高。对于小尺寸和轻重量的电子部件，电子部件中的半导体封装件要求减小的尺寸和处理大容量数据的能力。装载在这种半导体封装件中的半导体芯片通过被模制构件围绕而被覆盖。一般来说，当材料随机混合时，模制构件中所含填料的位置是固定的，因此很难根据半导体封装件的类型选择性地改变模制构件中填料的位置。
技术实现思路
为了有效地保护半导体封装件结构中的半导体芯片，本专利技术构思提供了一种半导体封装件，其中可利用电场和/或磁场在模制构件中控制填料的位置。...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：/n封装件衬底；/n至少一个半导体芯片，其安装在所述封装件衬底上；以及/n模制构件，其围绕所述至少一个半导体芯片，/n所述模制构件包括填料，/n所述填料中的每一个包括芯和围绕所述芯的涂层，/n所述芯包括非电磁材料，/n所述涂层包括电磁材料，并且/n所述模制构件包括分别具有所述填料的不同分布的区域。/n

【技术特征摘要】
20180801 KR 10-2018-00900561.一种半导体封装件，包括：
封装件衬底；
至少一个半导体芯片，其安装在所述封装件衬底上；以及
模制构件，其围绕所述至少一个半导体芯片，
所述模制构件包括填料，
所述填料中的每一个包括芯和围绕所述芯的涂层，
所述芯包括非电磁材料，
所述涂层包括电磁材料，并且
所述模制构件包括分别具有所述填料的不同分布的区域。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
利用焊料凸块将所述至少一个半导体芯片电连接至所述封装件衬底，并且
所述模制构件中的所述填料布置在所述焊料凸块中的每一个周围，在所述模制构件中的各个区域中，在所述至少一个半导体芯片与所述封装件衬底之间的区域中所述模制构件中的所述填料具有相对高的分布。


3.根据权利要求1所述的半导体封装件，
其中，在所述至少一个半导体芯片的外围区域处以相对高的分布布置所述模制构件中的所述填料。


4.根据权利要求1所述的半导体封装件，
其中，所述填料与所述半导体芯片间隔开，并且在所述模制构件中的各个区域中，所述填料以相对高的分布布置在所述模制构件的上部区域中。


5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
所述模制构件中的所述填料被构造为在减轻所述封装件衬底的翘曲的方向上运动，并且
所述模制构件被构造为根据所述填料的不同分布在所述模制构件中的各个区域中的不同区域中具有不同的热膨胀系数。


6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，
所述模制构件的各个区域包括所述模制构件的上部区域和所述模制构件的下部区域，
所述模制构件的上部区域中的热膨胀系数和所述模制构件的下部区域中的热膨胀系数彼此不同。


7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
所述填料包括第一填料和第二填料，
所述第一填料被构造为与所述第二填料相比对电场作出相对强的反应，
所述第二填料被构造为与所述第一填料相比对电场作出相对弱的反应，并且
所述第一填料和所述第二填料布置在所述模制构件中的各个区域中的不同区域中。


8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，
所述第一填料的直径与所述第二填料的直径不同，并且
所述第一填料的涂层中的材料与所述第二填料的涂层中的材料相同。


9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
所述填料包括第一填料和第二填料，
所述第一填料响应于磁场具有在第一方向上的力，
所述第二填料响应于磁场具有在第二方向上的力，
所述第二方向与所述第一方向相反，并且
所述第一填料和所述第二填料布置在所述模制构件中的各个区域中的不同区域中。


10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，
所述第一填料的涂层中的材料与所述第二填料的涂层中的材料不同。


11.一种半导体封装件，包括：
封装件衬底；
至少一个半导体芯片，其安装在所述封装件衬底上；以及
模制构件，其围绕所述至少一个半导体芯片，
所述模制构件包括分布在环氧树脂材料中的填料，
所述填料中的每一个包括芯和覆盖所述芯的涂层，
所述芯为非电磁材料，
所述涂层为电磁材料，
所述填料被构造为响应于施加至所述模制构件的电场或磁场在所述模制构件中在特定方向上移动，并且
所述模制构件包括分别具有所述填料的不同分布的区域。


12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，
所述芯包括氧化硅或氧化铝，并且
所述涂层包括金属、金属氧化物、聚合物、聚合物电解质和碳复合材料中的一个。


13.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，
所述填料包括第一填料和第二填料，
所述第一填料被构造为与所述第二填料相比对电场作出相对强的反应，
所述第二填料被构造为与所述第一填料相比对电场作出相对弱的反应，
所述第一填料的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴准英，金贤基，金祥洙，金承焕，李镕官，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR