一种半导体器件及其制备方法、电器设备技术

本申请公开一种半导体器件及其制备方法、电器设备。该半导体器件包括硅基片、第一晶体管结构和第二晶体管结构。硅基片包括依次层叠设置的第一硅层、绝缘层和第二硅层。第一晶体管结构形成于所述第一硅层上。第二晶体管结构形成于所述第二硅层上。本申请的半导体器件可以包括更多的晶体管结构，提高了集成度。

A semiconductor device, its preparation method and electrical equipment

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法、电器设备
本申请涉及半导体
，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法、电器设备。
技术介绍
对于晶体管来说，譬如绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,简称IGBT)，对电流能力和耐压能力等方面均有一定的要求。但是为达到晶体管的性能要求，通常晶体管的尺寸较大，一个硅基片上制备不出较多的晶体管结构，集成度相对较低。
技术实现思路
本申请主要的目的是提供一种半导体器件及其制备方法、电器设备，本申请的半导体器件可以包括更多的晶体管结构，提高了集成度。为达到上述目的，本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体器件，该半导体器件包括硅基片、第一晶体管结构和第二晶体管结构。硅基片，所述硅基片包括依次层叠设置的第一硅层、绝缘层和第二硅层；第一晶体管结构，形成于所述第一硅层上；第二晶体管结构，形成于所述第二硅层上。为达到上述目的，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种电器设备，该电器设备包括上述的半导体器件。为达到上述目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：/n硅基片，所述硅基片包括依次层叠设置的第一硅层、绝缘层和第二硅层；/n第一晶体管结构，形成于所述第一硅层上；/n第二晶体管结构，形成于所述第二硅层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
硅基片，所述硅基片包括依次层叠设置的第一硅层、绝缘层和第二硅层；
第一晶体管结构，形成于所述第一硅层上；
第二晶体管结构，形成于所述第二硅层上。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管结构包括第一栅极、第一发射极和第一集电极，均位于所述第一硅层远离所述绝缘层的一侧；所述第二晶体管结构包括第二栅极、第二发射极和第二集电极，均位于所述第二硅层远离所述绝缘层的一侧。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一硅层到所述第二硅层的方向上，所述第一发射极与所述第二发射极相对设置，所述第一集电极和所述第二集电极相对设置。


4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管结构的第一外边缘和所述第二晶体管结构的第二外边缘，在所述第一硅层到所述第二硅层的方向上平齐。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，包括：
所述第一晶体管结构和所述第二晶体管结构具有相同的结构。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一硅层和所述第二硅层的厚度相同。


7.根据权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰昊，冯宇翔，
申请(专利权)人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44