芯片切割方法及芯片切割装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种芯片切割方法及芯片切割装置，涉及芯片切割技术领域，本发明专利技术提供的芯片切割方法包括测量晶元厚度；根据测量的晶元厚度，在晶元内部聚焦打点；测量晶元厚度包括利用测量光束从晶元的一侧照射晶元的正面和背面；接收从晶元的正面反射的正面反射光和从晶元的背面反射的背面反射光；根据接收到正面反射光和背面反射光的时间差，计算出晶元的厚度。本发明专利技术提供的芯片切割方法缓解了相关技术中测量晶元厚度精度较低的技术问题。

Chip cutting method and chip cutting device

【技术实现步骤摘要】
芯片切割方法及芯片切割装置
本专利技术涉及芯片切割
，尤其是涉及一种芯片切割方法及芯片切割装置。
技术介绍
近十几年来，以Ⅲ－Ⅴ族氮化镓为代表的氮化物化合物半导体材料因其具有宽直接带隙、高热导率、高硬度、低介电常数和抗辐射等特点获得了人们的广泛关注，在固态照明、固体激光器、光信息存储和紫外探测器等领域都有着巨大的应用潜力。目前miniLED的长宽尺寸主要在40um－90um左右，尺寸越小越难以切割、切割良率越低，miniLED和microLED的应用前景十分广阔，量产化主要还是受到切割良率的影响。主流蓝绿光LED主要使用蓝宝石为衬底材料，蓝宝石的组成为氧化铝，由于蓝宝石的光学穿透带很宽，从近紫外光(190nm)到中红外线都具有很好的透光性，因此被大量用在光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料及光罩材料上，它具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度和高透光性和熔点高等特点。蓝宝石的衬底的LED一般使用隐形红外进行切割，切割前使用DRA(数字音频编码，英文全称：DigitalRiseAudio)系统即测距仪测量晶元的厚度，测距仪进行光学厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片切割方法，其特征在于，包括：/n测量晶元厚度；/n根据测量的晶元厚度，在晶元内部聚焦打点；/n测量晶元厚度包括利用测量光束从所述晶元的一侧照射所述晶元；/n接收从所述晶元的正面反射的正面反射光和从所述晶元的背面反射的背面反射光；/n根据接收到所述正面反射光和所述背面反射光的时间差，计算出所述晶元的厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片切割方法，其特征在于，包括：
测量晶元厚度；
根据测量的晶元厚度，在晶元内部聚焦打点；
测量晶元厚度包括利用测量光束从所述晶元的一侧照射所述晶元；
接收从所述晶元的正面反射的正面反射光和从所述晶元的背面反射的背面反射光；
根据接收到所述正面反射光和所述背面反射光的时间差，计算出所述晶元的厚度。


2.根据权利要求1所述的芯片切割方法，其特征在于，所述测量光束垂直照射所述晶元。


3.根据权利要求2所述的芯片切割方法，其特征在于，所述晶元的厚度其中；
S为晶元的厚度；
Δt为光源接收单元接收正面反射光和背面反射光的时间差；
C为光在空气中的速度；
λ为晶元的折射率。


4.根据权利要求1所述的芯片切割方法，其特征在于，激光器在晶元内部聚焦打点包括：
根据所述晶元的厚度，调整聚焦打点的位置，以使聚焦打点的位置到所述晶元的正面的距离为固定值。


5.根据权利要求4所述的芯片切割方法，其特征在于，以所述晶元的背面为基准面调节聚焦打点的位置。


6.根据权利要求5所述的芯片切割方法，其特征在于，当所述晶元的厚度增加时，聚焦打点的位置向远离所述晶元的背面的方向移动；
当所述晶元的厚度减小时，聚焦打点的位置向靠近所述晶元的背面的方向移动。


7.一种芯片切割...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，
申请(专利权)人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11