半导体元件制造技术

一种半导体元件，其特征在于，包含设置在复数个列及复数个栏中的复数记忆单元。元件还包含复数初级字元线，其中每一个初级字元线连接于设置在一个列中的第一复数记忆单元及复数位元线对；每一个初级字元线连接于设置在一个栏中的第二复数记忆单元。元件还包含字元线驱动电路，操作以选择初级字元线的第一初级字元线，以及操作以自第一端对所选择的第一初级字元线充电；以及次级字元线，操作以自第二端对所选择的第一初级字元线充电。

Semiconductor element

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本揭示是有关于一种半导体元件，特别是关于记忆体元件的半导体元件。
技术介绍
集成电路记忆体的其中一种常见的种类为静态随机存取记忆体(Staticrandomaccessmemory；SRAM)元件。SRAM元件包含复数个记忆单元的阵列。每一个记忆单元使用连接在较高参考位准及较低参考位准之间的晶体管的预定数目，因而以储存在另一个储存节点的互补信息，使得二个储存节点的其中一者被所储存的信息占据。在一个实例中，SRAM记忆单元储存在另一个储存节点。SRAM记忆单元的每一个位元(Bit)储存在六个晶体管中的其中四者，且前述的四个晶体管形成相互交叉耦合反相器。其余的二个晶体管连接于字元线，用以在读取及写入操作时，通过选择性连接记忆单元至位元线，控制存取记忆单元。当记忆体结构变小，字元线的金属维度亦变小。缩小金属维度的字元线会造成不良电压分布，进而造成记忆单元的效能减低。更进一步，当记忆体装置及字元线便小时，没有空间给简易提升金属字元线结构。此外，字元线的电阻随着字元线变小而增加，借以影响SRAM元件的效能。
技术实现思路
本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：/n复数记忆单元，设置在复数个列及复数个栏中；/n复数初级字元线，其中每一个该等初级字元线连接于设置在一个该等列中的一第一复数记忆单元；/n一字元线驱动电路，操作以选择该等初级字元线的一第一初级字元线，以及操作以自一第一端对所选择的该第一初级字元线充电；以及/n至少一次级字元线，操作以自一第二端对所选择的该第一初级字元线充电。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,733;20190718 US 16/515,5031.一种半导体元件，其特征在于，包含：
复数记忆单元，设置在复数个列及复数个栏中；
复数...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪显星，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71