本实用新型专利技术公开了一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，包括电流采集模块、电压采集模块、电源模块、控制器和功率电阻R1；功率电阻R1的一端与待检测MOSFET管的漏极D连接，其另一端与电源模块连接，待检测MOSFET管的栅极G受控制器的输出端I/O触发导通，其源极S接地，电流采集模块的采集端用于采集流过功率电阻R1的电流信号，其输出端与控制器连接，电压采集模块的采集端用于采集待检测MOSFET管的两端的电压信号，其输出端与控制器连接，具有检测MOSFET管导通电阻参数的主要功能。
An on resistance parameter detection circuit of MOSFET
【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET管导通电阻参数检测电路
本技术属于测试装置
，具体涉及一种MOEFET管导通电阻参数检测电路。
技术介绍
MOSFET管是金属氧化物半导体场效应管的简称，具有输入阻抗高、开关速度快、驱动放大电路简单的优良的高频性能，广泛应用于低压电动汽车电机驱动器、感应加热等领域，单个功率器件在电路中的耐压和输出电流能力有限，所以多个MOSFET管并联成为逆变器主回路的理想选择，多个MOSFET管并联工作过程中，需要保证功率器件参数一致性，而导通电阻是保证功率器件参数一致性的最为关键的参数之一，然而，即使某一厂家同一批次产品，其电阻参数也存在较大的离散型，为了保证在并联使用中MOSFET管的可靠性，MOSFET管的电阻参数测量在使用过程中显得特别重要；现有的检测MOSFET管的方法有很多，但是检测误差都比较大，而且没有对检测到的数据具有记录功能。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，该MOSFET管导通电阻参数检测电路具有检测MOSFET管导通其电阻参数的主要功能优点。本技术是通过以下技术方案实现的：一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，包括电流采集模块、电压采集模块、电源模块、控制器和功率电阻R1；所述的功率电阻R1的一端与待检测MOSFET管的漏极D连接，其另一端与电源模块连接，所述的待检测MOSFET管的栅极G受所述的控制器的输出端I/O触发导通，其源极S接地，所述的电流采集模块的采集端用于采集流过所述的功率电阻R1的电流信号，其输出端与所述的控制器连接，所述的电压采集模块的采集端用于采集所述的待检测MOSFET管的两端的电压信号，其输出端与所述的控制器连接。在上述技术方案中，所述的电流采集模块包括采集流过所述的功率电阻R1上的电流信号的电流传感器CT1和电流调理电路，所述的电流调理电路包括运算放大器芯片U2，所述的运算放大器芯片U2的输入端与电流传感器CT1的输出端连接，所述的运算放大器芯片U2的输出端与控制器的AD端口连接。在上述技术方案中，所述的控制器的输出端I/O与所述的待检测MOSFET管的栅极G之间设置有第一驱动放大电路，所述的第一驱动放大电路包括驱动芯片U3，所述的驱动芯片U3的引脚VDD和引脚VDD均通过电容C2接地且与输出电源V2连接，所述的驱动芯片U3的引脚OUT和引脚OUT均通过电阻R15与待检测MOSFET管的栅极G连接，所述的驱动芯片U3的引脚IN与所述的控制器的输出端I/O连接，所述的驱动芯片U3的引脚AGND和引脚PGND与所述的待检测MOSFET的源极S连接并接地。在上述技术方案中，所述的采集模块包括光电隔离Sigma-Delta调制电路，所述的光电隔离Sigma-Delta调制电路包括光耦芯片U4，所述的光耦芯片U4的电压检测端与所述的待检测MOSFET管的漏极D和源极S连接，所述的光耦芯片U4的输出端与控制器的SDFM接口连接。在上述技术方案中，所述的电源模块包括输出电源V1、输出电源V2、输出电源V3、输出电源V4、输出电源V5和输出电源Vcc，所述的输出电源V1的输出端与所述的功率电阻R1的远离所述的待检测MOSFET管的一端连接，所述的输出电源V2的输出端与所述的第一驱动放大电路的供电端连接。在上述技术方案中，还包括第二驱动放大电路、显示屏和报警器，所述的第二驱动放大电路的输入端与所述的控制器连接，所述的第二驱动放大电路的输出端分别与所述的显示屏与报警器连接。在上述技术方案中，所述的第二驱动放大电路包括三极管Q2，所述的三极管Q2的发射极与所述的输出电源Vcc连接，所述的三极管Q2的基极通过电阻R14与控制器连接，所述的三极管Q2的集电极分别与所述的显示屏和报警器连接。在上述技术方案中，所述的待检测MOSFET管由NMOS管组成。在上述技术方案中，所述的功率电阻R1和所述的待检测MOSFET管上均设置有散热片。在上述技术方案中，所述的电流传感器CT1为霍尔传感器。本技术的优点和有益效果为：本技术的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路采用功率电阻R1、第一驱动放大电路、Sigma-Delta调制电路以及电流调理电路配合工作检测待检测MOSFET管导通时的电阻值，通过控制器与显示屏连接，能够直观的显示出待检测MOSFET管导通时的电阻值，当待检测MOSFET管导通时的电阻值出现异常时，报警器能够及时的识别出非正常的待检测MOSFET管，使用方便。附图说明图1是本技术的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路的电路示意图。图2是本技术的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路的电流调理电路示意图。图3是本技术的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路的第一驱动放大电路示意图。图4是本技术的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路的第二驱动放大电路示意图。图5是本技术的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路的Sigma-Delta调制电路示意图。其中，1：控制器，2：显示屏，3：报警器。对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据以上附图获得其他的相关附图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面结合具体实施例进一步说明本技术的技术方案。为了方便说明，在以下实施例中，输出电源V3的电压值为-15V，输出电源V4的电压值为+15V，输出电源V3的电压值为+3.3V，输出电压Vcc的电压值为+5V。实施例1一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，包括流采集模块、电压采集模块、电源模块、控制器和功率电阻R1；功率电阻R1的一端与待检测MOSFET管的漏极D连接，其另一端与电源模块连接，待检测MOSFET管的栅极G受控制器的输出端I/O触发导通，其源极S接地，电流采集模块的采集端用于采集流过功率电阻R1的电流信号，其输出端与控制器连接，电压采集模块的采集端用于采集待检测MOSFET管的两端的电压信号，其输出端与控制器连接。本技术的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路采用电流采集模块、电压采集模块、控制器1和流通电路配合工作检测待检测MOSFET管导通时的电阻值。作为优选，控制器1为DSP，可以采用TI公司的TMS320F28377D芯片，采用控制器1能够实现对待检测MOSFET管的检测数据进行记录。作为优选，电源模块包括输出电源V1、输出电源V2、输出电源V3、输出电源V4、输出电源V5和输出电源Vcc，输出电源V1的输出端与功率电阻R1的远离待检测MOSFET管的一端连接，输出电源V2的输出端与第一驱动放大电路的供电端连接，其中，输出电源V1为高压直流电源，其中，电源模块为整个电路提供电源供电。进一步，功率电阻R1的一端与输出电源V1连接，其另一端与待检测M本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，包括电流采集模块、电压采集模块、电源模块、控制器和功率电阻R1；/n所述的功率电阻R1的一端与待检测MOSFET管的漏极D连接，其另一端与电源模块连接，所述的待检测MOSFET管的栅极G受所述的控制器的输出端I/O触发导通，其源极S接地，所述的电流采集模块的采集端用于采集流过所述的功率电阻R1的电流信号，其输出端与所述的控制器连接，所述的电压采集模块的采集端用于采集所述的待检测MOSFET管的两端的电压信号，其输出端与所述的控制器连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，包括电流采集模块、电压采集模块、电源模块、控制器和功率电阻R1；
所述的功率电阻R1的一端与待检测MOSFET管的漏极D连接，其另一端与电源模块连接，所述的待检测MOSFET管的栅极G受所述的控制器的输出端I/O触发导通，其源极S接地，所述的电流采集模块的采集端用于采集流过所述的功率电阻R1的电流信号，其输出端与所述的控制器连接，所述的电压采集模块的采集端用于采集所述的待检测MOSFET管的两端的电压信号，其输出端与所述的控制器连接。
2.根据权利要求1所述的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，所述的电流采集模块包括采集流过所述的功率电阻R1上的电流信号的电流传感器CT1和电流调理电路，所述的电流调理电路包括运算放大器芯片U2，所述的运算放大器芯片U2的输入端与电流传感器CT1的输出端连接，所述的运算放大器芯片U2的输出端与控制器的AD端口连接。
3.根据权利要求1所述的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，所述的控制器的输出端I/O与所述的待检测MOSFET管的栅极G之间设置有第一驱动放大电路，所述的第一驱动放大电路包括驱动芯片U3，所述的驱动芯片U3的引脚VDD和引脚VDD均通过电容C2接地且与输出电源V2连接，所述的驱动芯片U3的引脚OUT和引脚OUT均通过电阻R15与待检测MOSFET管的栅极G连接，所述的驱动芯片U3的引脚IN与所述的控制器的输出端I/O连接，所述的驱动芯片U3的引脚AGND和引脚PGND与所述的待检测MOSFET的源极S连接并接地。
4.根据权利要求1所述的一种MOSFET管导通电阻参数检测电路，其特征在于，所述的采集模块包括光电隔离Sigma-Del...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄雷，
申请(专利权)人：天津职业技术师范大学中国职业培训指导教师进修中心，
类型：新型
国别省市：天津;12
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