【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆翘曲形变测试设备
本专利技术涉及半导体晶圆测试设备
，具体是指一种半导体晶圆翘曲形变测试设备。
技术介绍
半导体晶圆在制程中，经过热处理是必要的，例如使用氧化硅膜作为隔绝层，或应用于流动膜的回流制程等；然而不同批次或不同类型的半导体晶圆具有不同的最高受温能力，当超过能承受的温度时，将会使半导体晶圆发生翘曲，导致不良品产生。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，针对以上问题，提供一种能够模拟半导体晶圆翘曲形变环境、可对半导体晶圆进行检测、能够有效减少不良品产生的一种半导体晶圆翘曲形变测试设备。为解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案为：一种半导体晶圆翘曲形变测试设备，包括本体，所述本体包括影像撷取室、测试室、预热室和自动控制装置，所述预热室、影像撷取室和测试室独立设置，所述影像撷取室设置于测试室上方，所述影像撷取室与测试室之间设有高透光率玻璃，所述自动控制装置电连接影像撷取室、测试室及预热室，所述影像撷取室设有摄影装置，所述测试室相异两侧壁开设有第一进气口及第一排气口...
【技术保护点】
1.一种半导体晶圆(20)翘曲形变测试设备，包括本体(10)，所述本体(10)包括影像撷取室(11)、测试室(12)、预热室(13)和自动控制装置，其特征在于：所述预热室(13)、影像撷取室(11)和测试室(12)独立设置，所述影像撷取室(11)设置于测试室(12)上方，所述影像撷取室(11)与测试室(12)之间设有高透光率玻璃，所述自动控制装置电连接影像撷取室(11)、测试室(12)及预热室(13)，所述影像撷取室(11)设有摄影装置(111)，所述测试室(12)相异两侧壁开设有第一进气口(121)及第一排气口(122)，所述第一排气口(122)处设有第一闸门(171)，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆(20)翘曲形变测试设备，包括本体(10)，所述本体(10)包括影像撷取室(11)、测试室(12)、预热室(13)和自动控制装置，其特征在于：所述预热室(13)、影像撷取室(11)和测试室(12)独立设置，所述影像撷取室(11)设置于测试室(12)上方，所述影像撷取室(11)与测试室(12)之间设有高透光率玻璃，所述自动控制装置电连接影像撷取室(11)、测试室(12)及预热室(13)，所述影像撷取室(11)设有摄影装置(111)，所述测试室(12)相异两侧壁开设有第一进气口(121)及第一排气口(122)，所述第一排气口(122)处设有第一闸门(171)，所述测试室(12)的温度线性升率上升，所述预热室(13)设有加热装置(131)，所述预热室(13)相异两侧壁开设有第二进气口(134)和第二排气口(135)，所述第一排气口(122)与第二进气口(134)之间设有软质的排气通道(182)，所述第二排气口(135)与第一进气口(121)之间设有软质的进气通道(181)，所述第二进气口(134)处设有第二闸门(172)，所述第二排气口(135)出设有第三闸门(173)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆(20)翘曲形变测试设备，其特征在于：所述预热室(13)中设有鼓风机(1311)、风扇(1312)、加热管(1313)及吸热结构(1314)，所述风扇(1312)至少有一个，所述鼓风机(1311)位于预热室(13)顶部，所述风扇(1312)设置在预热室(13)的侧壁，所述吸热结构(1314)设置在该预热室(13)的底部，所述加热管(1313)设置在吸热结构(1314)顶部。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆(20)翘曲形变测...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨国富，李盛峰，
申请(专利权)人：广东莱伯通试验设备有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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