半导体器件的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构具有键合层；在键合层上覆盖金属硬掩模层；图案化金属硬掩模层，形成金属硬掩模图案；以金属硬掩模图案为掩模在键合层中形成通孔；在金属硬掩模图案表面及通孔中覆盖互连材料；以及进行平坦化，平坦化去除键合层表面的金属硬掩模图案及互连材料，停留在键合层上，且保留通孔中的互连材料作为互连结构。

Fabrication of semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制作方法
本专利技术涉及一种半导体器件的制作方法，该半导体器件的制作方法可以显著缩短平坦化所需的时间，提高了平坦化制程的可控性和稳定性，降低了工艺的成本。
技术介绍
在半导体器件的制作过程中，常常需要在半导体器件上形成金属互连结构，以实现多个半导体器件之间的电连接。例如，在三维存储器领域，通过在晶圆表面形成的铜互连结构，可以实现多个晶圆之间的键合。具有金属互连结构的半导体器件的制作过程一般包括在半导体器件的层中形成通孔，以及在通孔内填充金属等。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种半导体器件的制作方法，该半导体器件的制作方法可以显著缩短平坦化所需的时间，提高了平坦化制程的可控性和稳定性，降低了工艺的成本。本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有键合层；在所述键合层上覆盖金属硬掩模层；图案化所述金属硬掩模层，形成金属硬掩模图案；以所述金属硬掩模图案为掩模在所述键合层中形成通孔；在所述金属硬掩模图案表面及所述通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：/n提供半导体结构，所述半导体结构具有键合层；/n在所述键合层上覆盖金属硬掩模层；/n图案化所述金属硬掩模层，形成金属硬掩模图案；/n以所述金属硬掩模图案为掩模在所述键合层中形成通孔；/n在所述金属硬掩模图案表面及所述通孔中覆盖互连材料；以及/n进行平坦化，所述平坦化去除所述键合层表面的金属硬掩模图案及互连材料，停留在所述键合层上，且保留所述通孔中的互连材料作为互连结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：
提供半导体结构，所述半导体结构具有键合层；
在所述键合层上覆盖金属硬掩模层；
图案化所述金属硬掩模层，形成金属硬掩模图案；
以所述金属硬掩模图案为掩模在所述键合层中形成通孔；
在所述金属硬掩模图案表面及所述通孔中覆盖互连材料；以及
进行平坦化，所述平坦化去除所述键合层表面的金属硬掩模图案及互连材料，停留在所述键合层上，且保留所述通孔中的互连材料作为互连结构。


2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述键合层相对于所述金属硬掩模层的刻蚀选择比高于100。


3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述金属硬掩模层的厚度是10-20nm。


4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述金属硬掩模层的材料包括氮化钛。


5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述平坦化去除所述金属硬掩模图案的时间为10-20s。


6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述金属硬掩模图案表面及所述通孔中覆盖互连材料之前还包括：
在所述金属硬掩模图案表面及所述通孔内壁...

【专利技术属性】
技术研发人员：高林，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42