制造半导体器件的方法技术

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法相关申请的交叉引用2018年7月19日在韩国知识产权局递交的题为“制造半导体器件的方法”的韩国专利申请No.10-2018-0083916的全部公开内容通过引用并入本文。
实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法。
技术介绍
由于随着电子技术的发展半导体器件的尺寸缩小速度加快，需要半导体芯片的高集成度和低功耗。
技术实现思路
实施例涉及一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。实施例还涉及一种制造半导体器件的方法，所述方法包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：/n在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜；/n在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且/n在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。/n

【技术特征摘要】
20180719 KR 10-2018-00839161.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜；
在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且
在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二布线层包括：
在所述第一通孔层上形成所述第二金属布线；并且
形成所述第三层间绝缘膜以包围所述第二金属布线。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二布线层包括：
在所述第一通孔层上形成所述第三层间绝缘膜；
通过蚀刻所述第三层间绝缘膜形成第一沟槽；并且
形成填充所述第一沟槽的所述第二金属布线。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在形成所述第二布线层之后，
在所述第二布线层上形成第二通孔层，所述第二通孔层包括与所述第二金属布线电连接的第二通孔和包围所述第二通孔的第四层间绝缘膜；并且
在所述第二通孔层上形成第三布线层，所述第三布线层包括与所述第二通孔电连接的第三金属布线和包围所述第三金属布线的第五层间绝缘膜。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述第三布线层包括：
在所述第二通孔层上形成所述第五层间绝缘膜；
通过蚀刻所述第五层间绝缘膜形成第二沟槽；并且
形成填充所述第二沟槽的所述第三金属布线。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在形成所述第二布线层之后，
在所述第二布线层上形成第六层间绝缘膜；
通过蚀刻所述第六层间绝缘膜形成第三沟槽并在所述第三沟槽上形成第四沟槽；并且
形成填充所述第三沟槽并与所述第二金属布线电连接的第三通孔，并且形成填充所述第四沟槽并与所述第三通孔电连接的第四金属布线。


7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第三层间绝缘膜中形成气隙。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，通过在低于450℃的温度下的等离子体气相沉积形成所述第三层间绝缘膜。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一气体包括以下项中的一种或多种：SiD4、D2、D2O、HD3、Si2D6或(C2H5)3SiD。


10.根据权利要求1所述的方法，其中：
在形成所述第二层间绝缘膜时不使用氘源，使得所述第二层间绝缘膜不包含添加的氘，并且
所述第三层间绝缘膜与所述第二层间绝缘膜直接接触。


11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜；并且
形成第二布线层，所述第二布线层包括所述第一布线层上的与所述第一金属布线电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：金汶根，朴在花，金埈宽，文孝贞，朴承钟，裵涩琪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR