【技术实现步骤摘要】
一种研磨头的保护罩
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种研磨头的保护罩。
技术介绍
化学机械研磨工艺((ChemicalMechanicalPolishing，简称CMP)制程是利用机械化学研磨的方式进行晶圆的平坦化。在CMP的工艺过程中，防止晶圆被刮伤是控制晶圆质量的重要因素。造成晶圆刮伤的因素很多，研磨垫、研磨盘、研磨液、研磨头、机台自身的摩擦产生的杂质等，现在研磨垫、研磨盘、研磨液的生产厂商已经对自身产品的质量进行了管控，而对于研磨头本身及机台自身产生的杂质，目前还没有比较好的解决方案。若研磨头上的杂质掉落研磨垫上，则在研磨的过程中会导致晶圆刮伤。因此，本专利技术提出一种研磨头的保护罩，用于防止杂质累积在研磨头上，并且还能减少因研磨头上的杂质掉落在研磨垫上导致的晶圆刮伤，从而提高晶圆的良率。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种研磨头的保护罩。具体技术方案如下：本专利技术包括一种研磨头的保护罩，用于防止所述研磨头上的杂质掉落，所述研磨头包括一圆盘形...
【技术保护点】
1.一种研磨头的保护罩，用于防止所述研磨头上的杂质掉落，所述研磨头包括一圆盘形的主体，所述主体上设有一连接件，其特征在于，所述保护罩自上而下套设于所述主体上；所述保护罩包括：/n一第一保护罩，覆盖于所述主体的顶面并至少部分覆盖于所述主体的周向，所述第一保护罩覆盖于所述主体的顶面部分形成一承漏面，用于承接所述杂质；/n一第二保护罩，为形成于所述承漏面的周向的一环形凸起，所述环形凸起具有一第一预设高度，用于防止所述承漏面上的杂质洒出。/n
【技术特征摘要】
1.一种研磨头的保护罩，用于防止所述研磨头上的杂质掉落，所述研磨头包括一圆盘形的主体，所述主体上设有一连接件，其特征在于，所述保护罩自上而下套设于所述主体上；所述保护罩包括：
一第一保护罩，覆盖于所述主体的顶面并至少部分覆盖于所述主体的周向，所述第一保护罩覆盖于所述主体的顶面部分形成一承漏面，用于承接所述杂质；
一第二保护罩，为形成于所述承漏面的周向的一环形凸起，所述环形凸起具有一第一预设高度，用于防止所述承漏面上的杂质洒出。
2.根据权利要求1所述的保护罩，其特征在于，所述环形凸起的一第二预设高度处布设有过滤孔，以使所述环形凸起的内侧和外侧相通，且所述第二预设高度小于所述第一预设高度。
3.根据权利要求2所述的保护罩，其特征在于，所述环形凸起的外侧设置有一二次过滤装置，用于对杂质进行二次过滤。
4.根据权利要求3所述的保护罩，其特征在于，所述二次过滤装置包括：
一环形滤网，套设于所述环形凸起的外侧，并与...
【专利技术属性】
技术研发人员：王力，曹佩珊，张勇，温川江，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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